超寬禁帶半導體氧化鎵材料及器材生產商「銘鎵半導體」成立于2020年，專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內第一家將半導體氧化鎵材料產業化落地的企業。公司創始人兼CEO陳政委是國立日本佐賀大學九州同步光輻射中心的工學博士，在日本攻讀碩士和博士期間便選擇了氧化鎵材料方向。團隊還包括來自東京大學、九州大學、東京工業大學的博士或教授以及來自露笑科技、森霸傳感的擁有豐富產業經驗的總監型高級工程師。

　　半導體材料位于半導體產業鏈的上游，經歷了三次迭代，從第一代的硅、第二代的砷化鎵和砷化銦到第三代的碳化硅和氮化鎵。硅因為導熱性良好、自然儲備豐富、價格低廉，得到了廣泛的應用。但因為硅禁帶寬度窄、擊穿電場較低，在高頻、大功率器件領域應用受限。于是禁帶寬度更寬、擊穿電場更高、電子遷移率更高、抗輻射能力更強、適用于高頻、大功率器件的第二代、第三代材料開始進入市場，得到應用。

　　氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優良的化學和熱穩定性，在高溫、大功率、抗輻射電子器件領域有廣泛的應用前景。2012年日本首先實現2英寸氧化鎵材料的突破，跟據「銘鎵半導體」提供的數據，氧化鎵的擊穿場強是第三代半導體材料碳化硅的3.2倍，巴利加優值是其10倍左右。氧化鎵禁帶寬度能達到4.9-5.3eV，而成本僅為碳化硅的1/8。

　　「銘鎵半導體」的氧化鎵材料將被應用于新能源汽車、汽車充電樁、工業電機、固態能源轉變、國防軍工等領域。

　　36氪獲悉，「銘鎵半導體」目前營收規模數百萬元，毛利率高于70%。預計今年8月其2英寸產品就能實現量產，2021年營收有望達到2000萬元。

　　半導體材料行業需要大量的前期投入，工藝要求較高且突破較難，行業人才缺乏，具有較高的競爭壁壘。由于生產難度大、技術壁壘高和進入時間晚，我國的碳化硅、硅、氮化鎵等半導體材料落后于國際廠商，半導體材料的國產化率較低，市場基本被歐美日等國和中國臺灣地區的企業所壟斷，進口依賴較強。

　　日本方面，京都大學投資的Flosfia、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領先的氧化鎵供應商。日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持，已投入超過8560萬美元，大力發展日本氧化鎵材料及功率半導體器件產業。另據日本富士經濟預測，2025年日本本土氧化鎵功率半導體器件市場將達到700億日元（約合42億人民幣）并以指數級逐年增長，日本三菱電機、豐田、FUJIMI、田村、電裝、光波等紛紛投入大量人力物力進入氧化鎵賽道。

　　陳政委認為半導體氧化鎵材料將是我國半導體材料領跑行業的重要機會，預計需求會在未來5-10年爆發。目前「銘鎵半導體」在半導體氧化鎵材料領域位于國際第一梯隊，領先歐美3-5年，預計在2022年或者2023年便能接近日本的技術水平。

　　半導體氧化鎵材料的主要應用領域是大功率電子器件，與碳化硅的應用場景重合。目前市場上的半導體碳化硅材料生產商有山東天岳、天科合達、同光晶體等企業。半導體碳化硅的下游應用企業較為集中，包括比亞迪、中車、國家電網等。

　　據悉，「銘鎵半導體」正在尋求新一輪融資。陳政委告訴36氪，此輪融資資金將用于擴大產能、增加研發投入、拓展市場等方面。