近日，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目（一期）Ⅰ標(biāo)段濺度廠房實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂。這是該項(xiàng)目繼M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房順利完成主體結(jié)構(gòu)封頂之后，項(xiàng)目建設(shè)迎來的又一個(gè)重要時(shí)刻。

據(jù)介紹，濺鍍廠房位于該項(xiàng)目的東南角，占地面積5500平方米，總建筑面積約6000平方米，該廠房主要作用是通過濺鍍技術(shù)對芯片的各個(gè)表面進(jìn)行濺鍍薄膜以保護(hù)芯片。該棟單體于10月5日開挖承臺(tái)，12月2日完成正負(fù)零結(jié)構(gòu)施工，12月25日完成最后一塊屋面澆筑。

M4碳化硅長晶廠房單體占地面積8000平方米，建筑面積1.2萬平方米，為所有單體中建筑面積第四大單體，建筑結(jié)構(gòu)為鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)。該單體于9月3日正式動(dòng)土，于12月24日順利完成主體結(jié)構(gòu)封頂。M4碳化硅長晶廠房結(jié)構(gòu)封頂打通了湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目全產(chǎn)業(yè)鏈全面封頂?shù)闹匾画h(huán)。

M3器件封裝廠房占地面積達(dá)1.1萬平方米，建筑面積達(dá)3.3萬平方米，為整個(gè)項(xiàng)目建筑最高、結(jié)構(gòu)層數(shù)最多的單體。該單體自9月1日開工以來，于12月20日完成封頂施工，比原計(jì)劃整體提前7天。

據(jù)了解，這三棟單體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂，標(biāo)志著整個(gè)項(xiàng)目第二階段的主體施工接近尾聲，后續(xù)廢水站、M1A長晶、M2B芯片廠房將相繼在2021年1月中旬及下旬完成封頂，屆時(shí)，該半導(dǎo)體項(xiàng)目全產(chǎn)業(yè)鏈將全面打通。