據悉，恩智浦半導體（NXP）宣布正式啟用位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的 6 英寸射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，這是美國境內專注于 5G 射頻功率放大器的最先進晶圓廠。

　　恩智浦表示，這座全新氮化鎵晶圓廠已通過認證，首批產品將持續推出上市，預計 2020 年底將達到產能滿載。

　　恩智浦指出，此全新工廠結合恩智浦射頻功率領導者的專業與大規模量產技術，代表實現創新，有助支持 5G 基站與先進通信基礎設施在工業、航空航天和國防市場的擴展。

　　恩智浦半導體總裁兼首席執行官 Kurt Sievers 在演講中表示，今日象征著恩智浦的重要里程碑。通過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關鍵人才，讓恩智浦能夠更聚焦于發展氮化鎵技術，將其作為推動下一代 5G 基站基礎建設的一部分。

　　隨著 5G 的發展，射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數級增長，但仍需保持相同的機箱尺寸，并降低功耗。氮化鎵功率晶體管已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標準，能夠大幅提高功率密度和效率。

　　同時，恩智浦半導體執行副總裁兼無線電功率業務部總經理 Paul Hart 表示，恩智浦團隊向來致力于建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠，該晶圓廠的能力可擴展至 6G 甚至更高。

　　氮化鎵是硅的替代品，被視為是第三代半導體材料。半導體材料第一代為硅，第二代是砷化鎵，第三代除了氮化鎵，還包括碳化硅。氮化鎵是 5G 網絡中的關鍵材料之一，因為它能處理應用于 5G 網絡的高頻率，同時比其他芯片材料功號更低，所占空間更少。

　　利用氮化鎵量產芯片仍是一項具利基的嘗試，多數的供應來自恩智浦、SkyWorks Solutions 與 Qorvo。

　　恩智浦半導體表示，這座新工廠將生產 6 英寸的氮化鎵晶圓，與用于多數傳統硅計算芯片的晶圓尺寸相比只有一半，但在替代性材料中，這樣的尺寸很常見。

　　據悉，恩智浦的亞利桑那州工廠將設有一座研發中心，協助工程師加速氮化鎵半導體的開發與申請專利。

　　恩智浦表示，預計這座工廠年底前就會產能全開。

　　值此之際，美國政府正討論推出百十億美元的激勵計劃，用以讓更多芯片制造商將生產線遷回美國本土。

　　由此來看，恩智浦在美國設廠的重要原因，或許是為了給予平息美國的“擔憂”，從而進一步開拓當地市場。

　　據日經亞洲評論 9 月 26 日消息，美國國會正醞釀一項計劃，打算撥款 250 億美元（折合約 1705 億元人民幣）作為激勵資金，鼓勵更多跨國芯片制造商將生產線遷至美國。根據美國的設想，將對每個新來的芯片項目發放 30 億美元（折合約 204 億元人民幣）的補貼。

　　早從去年 10 月開始，美國就頻繁對外喊話，希望更多制造商將供應鏈放到美國。這一舉動的背后，就是美國擔憂華為、中興等中國企業的崛起，或將會吸引更多跨國芯片制造商將生產集中至中國，屆時美國失去了在芯片領域的優勢地位，很有可能將面臨“斷供”的困境。

　　值得一提的是，恩智浦半導體與華為也有著不小的“淵源”。在 2018 年華為公布的 92 家核心供應商名單中，這家荷蘭巨頭是華為為數不多的連續十年金牌供應商之一，另一個是美國巨頭英特爾。隨著 9 月 14 日美國新規正式生效，外界也紛紛猜測華為在歐洲的供貨商是否會受到影響。

　　數據顯示，中國是恩智浦全球第一大市場，2018 年，來自中國的訂單額在其全年營收的占比高達 36%。而據美國媒體報道，截至目前，恩智浦半導體還未對美國的新規做出任何回應。