據媒體報道指中國最大的芯片代工廠中芯國際近日開始認購，預計募資超過400億元人民幣，在巨額資金的支持下預計最快年底可以試產7nm工藝（中芯國際方面稱為N＋2工藝，在性能參數方面接近臺積電的7nm工藝），加快先進工藝的研發。

中芯國際在去年成功投產14nmFinFET工藝，今年初為華為代工麒麟710A芯片，目前它更先進的12nm工藝也已投產，在芯片制造工藝方面已居于全球芯片代工廠第二梯隊，與聯電和格芯居于同一水平。

不過聯電和格芯已宣布停止研發7nm工藝更先進的工藝，如果中芯國際可以成功研發出接近于7nm的工藝，它將超越聯電和格芯，成為臺積電和三星的有力挑戰者。

為研發7nm工藝，中芯國際已為此做好充分的準備，在人才方面獲得了臺積電前資深技術研發處長梁孟松的加入，正是在梁孟松的支持下，中芯國際加快了14nmFinFET工藝的研發，如今在他的支持下加速了7nm工藝的研發進程。

業界都知道，越先進的工藝，需要投入的資金就越多，此前國家集成電路產業基金和上海集成電路產業基金已向中芯國際投資數十億美元，如今中芯國際即將在A股上市募資超過400億元人民幣，累計獲得投資額已近百億美元，巨額資金的投入為中芯國際研發先進工藝提供巨大的支持。

目前阻礙中芯國際研發更先進工藝的最大障礙就是難以獲得荷蘭ASML的EUV光刻機，不過臺積電此前投產的第一代7nm工藝就沒有采用EUV光刻機，證明即使沒有EUV光刻機也能研發出7nm工藝。

柏銘科技相信中芯國際在有諸多技術人才和巨額資金的支持下，中芯國際是有可能如媒體推測的在今年底投產接近7nm的N＋2工藝，在沒有獲得EUV光刻機的情況下，中芯國際可以先提高N＋2工藝的良率，錘煉先進工藝，為更先進的工藝做好準備。

臺積電正是在成功投產7nm工藝之后再引入EUV光刻機，隨后迅速研發更先進的5nm工藝，這是一條相當穩妥的路線，中芯國際作為后來者以類似于臺積電的工藝演進路線應該是較為合適的。

中國已成為全球最大的芯片市場，每年采購芯片的金額超過石油進口額，2014年中國成立第一期集成電路產業基金，從那之后中國的芯片產業就進入飛速發展階段，這幾年中國在芯片研發方面已取得了巨大的成績，在手機芯片、AI等技術方面已與世界一流水平接近。

阻礙中國芯片產業發展的就是芯片制造工藝，中芯國際作為中國最大的芯片代工廠被寄予厚望，如今中芯國際在人才和資金方面都得到了大力扶持，柏銘科技相信中芯國際的芯片制造工藝可望在未來數年縮短與臺積電和三星的差距，為中國芯片產業的發展提供強有力的支持。