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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

2020-02-25
來(lái)源:英飛凌科技股份公司
關(guān)鍵詞: 英飛凌 650V MOSFET

  【2020年2月25日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC  MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

650V_CoolSiC_MOSFET_TO247-3.png

  “隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)Steffen Metzger表示,“這凸顯了我們?cè)谑袌?chǎng)中的獨(dú)特地位:英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產(chǎn)品的制造商。而全新CoolSiC 系列是我們矢志成為工業(yè)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)領(lǐng)域頭號(hào)供應(yīng)商的有力支持?!?/p>

  650 V CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,既可采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開(kāi)關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過(guò)去發(fā)布的所有CoolSiC  MOSFET產(chǎn)品相比,全新650V系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類(lèi)拔萃的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。此外,它們還具備最高的跨導(dǎo)水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩(wěn)健性??偠灾瑴喜奂夹g(shù)可以在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低的損耗,并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。

  與市面上其它硅基以及碳化硅解決方案相比,650 V CoolSiC  MOSFET能夠帶來(lái)更加吸引人的優(yōu)勢(shì):更高開(kāi)關(guān)頻率下更優(yōu)的開(kāi)關(guān)效率以及出色的可靠性。得益于與溫度相關(guān)的超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)),這些器件具備出色的熱性能。此外,它們還采用了堅(jiān)固耐用的體二極管,有非常低的反向恢復(fù)電荷:比最佳的超結(jié)CoolMOS  MOSFET低80%左右。其換向堅(jiān)固性,更是輕松實(shí)現(xiàn)了98%的整體系統(tǒng)效率,如通過(guò)連續(xù)導(dǎo)通模式圖騰柱功率因素校正(PFC)。

  為了簡(jiǎn)化采用650 V CoolSiC  MOSFET的應(yīng)用設(shè)計(jì),確保器件高效運(yùn)行,英飛凌還提供了專(zhuān)用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER 柵極驅(qū)動(dòng)器IC。這個(gè)解決方案(整合了CoolSiC 開(kāi)關(guān)和專(zhuān)用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC)有助于降低系統(tǒng)成本和總擁有成本,以及提高能效。CoolSiC  MOSFET可與其它英飛凌EiceDRIVER 柵極驅(qū)動(dòng)器系列IC無(wú)縫協(xié)作。

供貨情況

  650 V CoolSiC  MOSFET系列共8個(gè)版本,采用兩種插件TO-247封裝,現(xiàn)已支持訂購(gòu)。三種專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器IC將于2020年3月起供貨。


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