威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開關(guān)相關(guān)的功率損耗。
與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測(cè)試，符合RoHS要求且不含鹵素。
這款N-Channel MOSFET的應(yīng)用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務(wù)器和醫(yī)療設(shè)備的DC/ DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)和次級(jí)側(cè)開關(guān)；用于服務(wù)器和電信設(shè)備中電壓調(diào)節(jié)的半橋功率級(jí)和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器；電信和服務(wù)器電源中的OR-ing功能；用于開關(guān)電容器或開關(guān)柜轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)；電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備中的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制；以及電池管理模塊中的電池保護(hù)和充電。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。