中國，2019年11月22 日 - 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出了新一代存儲器芯片，集前所未有的存儲容量與讀寫速度和可靠性于一身，新產(chǎn)品讓我們每天使用的產(chǎn)品設(shè)備能夠做更多的事情，讓我們的生活和工作更豐富。

　　意法半導(dǎo)體的新的存儲器容量4Mbit的 EEPROM可讓小型設(shè)備捕獲更多的數(shù)據(jù)，通過串行SPI總線保存在存儲器內(nèi)。有了這款存儲器，智能表記計等儀表設(shè)備能夠提高數(shù)據(jù)記錄量，從而更有效地管理能源網(wǎng)絡(luò)，提供更人性化的計費方式；便攜式醫(yī)療設(shè)備可以更密集地記錄患者數(shù)據(jù)，提高醫(yī)療護(hù)理質(zhì)量；智能穿戴設(shè)備等消費類產(chǎn)品可以支持更多的用戶功能和更高的精度；在這些應(yīng)用中，存儲器的低功耗特性還有助于延長電池的續(xù)航時間。高容量存儲器還可以給網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等各種工業(yè)控制和通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用帶來好處。

　　意法半導(dǎo)體存儲器事業(yè)部總經(jīng)理Benoit Rodrigues表示：“ ST是世界公認(rèn)的最大的串行EEPROM芯片廠商，串行存儲器廣泛用于消費、工業(yè)和汽車相關(guān)設(shè)備系統(tǒng)，我們將繼續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新。市場上首款4Mbit EEPROM器件是采用我們自己的CMOS技術(shù)生產(chǎn)，該技術(shù)目前是業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的110nm EEPROM制程。”

　　意法半導(dǎo)體的M95M04 EEPROM存儲器兼?zhèn)淝八从械拇鎯θ萘颗c出色的能效，適用于精打細(xì)算的預(yù)算緊張的應(yīng)用項目，擴(kuò)大了意法半導(dǎo)體以高度可靠、持久耐用的10億次全內(nèi)存讀寫周期享譽(yù)市場的存儲器產(chǎn)品家族。新產(chǎn)品能夠在5ms內(nèi)寫入512字節(jié)，可實現(xiàn)低延遲的快速的系統(tǒng)操作。

　　樣品現(xiàn)已開放申請。

　　詳細(xì)技術(shù)信息

　　M95M04 EEPROM具有高容量非易失性存儲功能，可用于存放需要持久保存的數(shù)據(jù)，例如，應(yīng)用程序代碼、精度校準(zhǔn)表和用戶參數(shù)，以及密集型數(shù)據(jù)記錄。

　　市場上存儲容量最高的EEPROM存儲器，采用小型8引腳SO8N和TSSOP8封裝，成本效益高于競品，例如，集成微控制器和閃存的EEPROM仿真存儲器、鐵電FRAM和磁阻MRAM。與CMOS EEPROM相比，這些存儲器的功耗高，電源電壓范圍窄。

　　M95M04 EEPROM的優(yōu)點包括1.8V至5.5V的寬電源電壓和 40年的數(shù)據(jù)保存期限，除SO8N和TSSOP8封裝外，還提供最先進(jìn)的8焊球WLCSP芯片級封裝。