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Intel打造22FFL工藝 生產超強壽命RRAM芯片

2019-06-18
關鍵詞: Inte RRAM 芯片

  隨著Intel在本月開始出貨10nm工藝處理器,Intel在先進半導體工藝上將轉向14nm為主、10nm加速量產及推進7nm落地。除了這些工藝之外,Intel之前還有一些工廠是生產22nm工藝的,它們也不可能完全淘汰或者升級到7nm,所以2017年Intel推出了22FFL工藝。

  22FFL是Intel結合22nm及14nm FinFET工藝開發的一種改良版工藝,FFL中的L代表Low Leakage,漏電流更低,指標位于兩種工藝之間,晶體管密度為1880萬晶體管/平方毫米,略好于22nm工藝,但它的優勢在于功耗低,成本也低,畢竟22nm工藝量產這么多年了。

  22FFL工藝不會用來生產先進處理器了,但它會在別的芯片上找到自己的位置,此前Intel宣布使用22FFL工藝生產了MRAM(磁阻RAM),現在VLSI 2019大會上,Intel又提到了22FFL工藝已經準備好生產RRAM(可變電阻RAM)。

  不論是MRAM還是RRAM芯片,它們的特性都是超強性能,延遲堪比內存,而且是超長壽命及可靠性,寫入次數都是上萬次起的,耐高溫,壽命長達10多年,但是現在的問題就是這些芯片的容量都很低,通常是256Mb、512Mb,有些能上到1Gb左右,反正相比常規的RAM及NAND還差很遠。


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