為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。目前3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層，這是接下來一段時間內(nèi)的市場主流。

　　2018 年底，SK Hynix(SK海力士)發(fā)表 96 層堆?？扉W存儲器，是為 TLC 類型、單一裸晶容量 512Gb(64GB)產(chǎn)品，還特地取了個有意思的 4D NAND 名詞(本質(zhì)和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 當(dāng)時曾預(yù)告，在 2019 年也就是今年的某個時間點，自家 96 層堆棧產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展將進(jìn)入另一個階段，容量會倍增至 1Tb(128GB)。

　　SK Hynix 剛實現(xiàn)了這點，官方宣布 96 層、1Tb 樣品已經(jīng)備妥，正?續(xù)出貨提供給予主要的控制器、固態(tài)硬盤制造商。不過首波 1Tb 樣品屬于 QLC 類型，基于 4D NAND 架構(gòu)設(shè)計具有 4 個平面(Plane)、區(qū)塊容量 64KB，這數(shù)量規(guī)劃 2 倍于典型快閃存儲器(2 plane、32KB 之類規(guī)格)，SK Hynix 強調(diào)這是確保性能的關(guān)鍵。

　　此外，SK Hynix 自己也投入 QLC 所適用控制器與韌體等開發(fā)，計劃在 2020 年推出自有品牌企業(yè)級固態(tài)硬盤。SK Hynix 將致力于提升儲存密度，除了以追上硬盤 16TB 之類容量作為目標(biāo)，更希望能夠吸引企業(yè)舍硬盤就固態(tài)硬盤。

　　采用96層QLC顆粒的第一批終端應(yīng)用產(chǎn)品應(yīng)該不會是固態(tài)硬盤，而是USB隨身碟這類對可靠度要求較低的應(yīng)用。