據臺灣媒體報道，美光大動作在美對聯電及福建晉華可能竊取及使用營業秘密一事提出訴訟，聯電總經理簡山杰對此予以駁斥，強調聯電早年就生產過DRAM，本身擁有不少DRAM專利，事隔15年后決定自主研發DRAM技術， 目的是為了替臺灣半導體產業落實技術扎根。 以下是專訪紀要。

　　問：聯電重新投入DRAM技術研發原因為何？

　　答：聯電的本業是晶圓代工，順應市場趨勢并強化晶圓代工的服務，聯電研發DRAM的經驗有助于新世化內存的發展，包括MRAM（磁阻式隨機存取內存）等，等于可以搶先進入有潛力的新市場。 再者，聯電是借外部力量來研發DRAM技術，福建晉華支持研發費用，雙方共同投入研發設備及技術，可快速研發速度，不會擠壓聯電的獲利表現。

　　聯電要獨立自主研發DRAM技術，另一個重要意義是為臺灣半導體產業落實技術扎根，這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術后，相隔15年后再次有臺灣企業投入難度最大的DRAM研發工作，意義格外重大。

　　問：美光對聯電提告的關鍵在于聯電多年未涉及DRAM研發及生產，聯電的技術來源為何？

　　答：聯電要自主研發DRAM技術。 聯電在晶圓代工市場多年，長期投入研發已有很好的技術實力，連最先進囗最復雜的14nm邏輯IC制程都自主研發成功并開始投產，而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。 至于在DRAM特有技術部分，則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解，再依據開發路線落實。 事實上，DRAM工作原理沒有改變，現今的DRAM只是藉由更先進的制程技術，達到每位更低成本的目標，操作原理與15年前研發DRAM時相同。

　　問：聯電的DRAM事業的營運模式為何？

　　答：聯電目前與國外DRAM設計公司合作，以達成及加速DRAM技術研發。 不同于三大DRAM廠有自己的設計團隊，聯電本業是晶圓代工，所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式，與經驗豐富的DRAM設計團隊合作，可以減少研發過程中的許多不確定性因素，加快問題解決的速度。 再者，聯電未來的DRAM技術研發成功后，會授權給晉華生產，但聯電并沒有投資晉華，未來也可爭取其它DRAM代工訂單。 聯電目前沒有自建DRAM產能計劃，不會與臺灣現有DRAM廠商競爭。

　　問：聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術并不相同？

　　答：聯電不了解美光制造DRAM的內容，因此無從說明兩者之差異，但根據第三方TechInsights于2013年發表文章，有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米制程世代的DRAM，美光采用直行式主動區（Active Area，AA）設計，但聯電DRAM選擇交錯式AA設計，與美光的記憶胞架構明顯不同。 DRAM的記憶胞是技術上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構，代表了不同的研發道路，證明聯電和美光的技術核心不相同。

　　集微網消息，12月初美光科技在美國加州提起民事訴訟，控告聯電及福建晉華侵害DRAM的營業秘密。

　　美光表示，該公司依據保護營業秘密法，與反勒索及受賄組織法的民事條款，控告聯電與福建晉華竊取其商業機密及其他不當行為；美光將積極保護其全球知識產權，以一切法律途徑，遏止任何不法濫用行為。

　　去年五月，聯電宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作，聯電接受晉華委托開發DRAM相關制程技術。