三星15日在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
其實(shí)在今年1月，三星已經(jīng)向關(guān)鍵的大客戶出貨采用64層 V-NAND介質(zhì)的SSD產(chǎn)品，如今半年過(guò)去，產(chǎn)能擴(kuò)充，消費(fèi)級(jí)用戶可以順利用上了。
新的閃存芯片將用于生產(chǎn)手機(jī)UFS存儲(chǔ)、PC/服務(wù)器固態(tài)盤(pán)、外置存儲(chǔ)卡等產(chǎn)品。
三星強(qiáng)調(diào)，新一代64層V-NAND的帶寬速率高達(dá)1Gbps，是目前業(yè)界最快，是上一代48層3bit的1.5倍。
另外，在功耗方面，電壓從3.3V降低到2.8V，說(shuō)明工藝改良了不少，漏電極大減少，從而使效能提升30%。
競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手方面，東芝的64層也已經(jīng)少量出貨，SK海力士計(jì)劃在今年底量產(chǎn)更激進(jìn)的72層產(chǎn)品。不過(guò)，三星強(qiáng)調(diào)，作為一哥和3D NAND的始創(chuàng)者，它們有信心繼續(xù)保持領(lǐng)先，并在年底前將64層閃存的產(chǎn)能覆蓋到月度總量的50%以上。
可以預(yù)見(jiàn)，以TB為單位的固態(tài)盤(pán)、以及128GB以上的UFS3.0手機(jī)閃存或?qū)⒀杆倨占伴_(kāi)來(lái)。
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