LSI公司日前宣布于本周在舊金山舉辦的英特爾開(kāi)發(fā)者論壇（IDF）上演示其新一代12Gb/sSAS片上RAID（ROC）技術(shù)。此次展示的是一種單片8端口12Gb/sSASROC芯片，將該芯片連接到8塊6Gb/sSeagate?SAS2.5英寸硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，在PCIExpress?2.0直連存儲(chǔ)配置下，運(yùn)行小數(shù)據(jù)塊連續(xù)讀/寫(xiě)時(shí)，其性能可超過(guò)120萬(wàn)IOPS（每秒I/O操作次數(shù)）。

　　通過(guò)集成SAS和PCIExpress的最新增強(qiáng)技術(shù)，同時(shí)采用創(chuàng)新的LSI硬件加速引擎，LSISASROC能夠?yàn)槠髽I(yè)級(jí)固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）和基于即將發(fā)布的PCIExpress3.0規(guī)格的服務(wù)器平臺(tái)提供所需的I/O性能，使它們充分發(fā)揮出性能優(yōu)勢(shì)。

　　LSIRAID存儲(chǔ)部門的高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理BillWuertz表示：“固態(tài)驅(qū)動(dòng)器的性能加之即將發(fā)生的全行業(yè)向PCIExpress3.0服務(wù)器平臺(tái)的轉(zhuǎn)型，將成為推動(dòng)行業(yè)對(duì)12Gb/sSAS連接功能需求不斷增長(zhǎng)的強(qiáng)勁動(dòng)力。采用12Gb/sSAS，IT管理人員既能夠讓現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)揮出最大效益，又能夠滿足I/O密集型應(yīng)用、云數(shù)據(jù)中心和虛擬化服務(wù)器環(huán)境的存儲(chǔ)需求?！?/p>

　　以LSI第四代SAS架構(gòu)為基礎(chǔ)的12Gb/sSASROC，與上一代6Gb/sSASROC相比，其IOPS性能提高57%，I/O吞吐量提高45%。如果使用上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)100萬(wàn)IOPS的性能，需要使用多片SASROC和12塊硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，這會(huì)導(dǎo)致更高的硬件采購(gòu)成本，同時(shí)會(huì)增加功耗和空間，并會(huì)提高對(duì)冷卻系統(tǒng)的要求。將12Gb/sSASROC與新一代基于PCIExpress3.0的系統(tǒng)集成，則有望實(shí)現(xiàn)更高的性能水平。

　　SCSI貿(mào)易協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)，SeagateTechnology新興架構(gòu)項(xiàng)目經(jīng)理MartyCzekalski表示：“LSI在SAS架構(gòu)的開(kāi)發(fā)和廣泛市場(chǎng)推廣方面所作的貢獻(xiàn)是有目共睹的。SCSI貿(mào)易協(xié)會(huì)非常興奮地看到我們的會(huì)員企業(yè)LSI公司能夠公開(kāi)演示12Gb/sSAS芯片的早期原型。這次早期公開(kāi)演示是一個(gè)重要的技術(shù)里程碑，為將于2012年年中舉辦的首屆12Gb/sSAS互通性測(cè)試大會(huì)打下了良好的基礎(chǔ)。”

　　據(jù)行業(yè)預(yù)計(jì)，12Gb/sSAS的市場(chǎng)推廣將從單個(gè)SAS組件和器件的發(fā)布開(kāi)始，隨后，OEM廠商會(huì)批量生產(chǎn)和交付采用12Gb/sSAS的服務(wù)器和外部存儲(chǔ)系統(tǒng)，這會(huì)給12Gb/sSAS的普及注入新的動(dòng)力。采用12Gb/sSAS的服務(wù)器預(yù)計(jì)將在2013年初實(shí)現(xiàn)批量交付，隨后在2013年下半年，外部存儲(chǔ)系統(tǒng)也將批量投放市場(chǎng)。

　　自SAS誕生以來(lái)，LSI已經(jīng)交付了一系列行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品組合，包括SASROC、控制器和擴(kuò)展器IC、總線適配器、MegaRAID?和3ware?RAID控制器、6Gb/sSAS交換機(jī)、高級(jí)軟件選項(xiàng)以及WarpDrive?SLP-300固態(tài)存儲(chǔ)加速卡。