據HotHardware網站報道，英特爾正在為今年晚些時候發布10納米工藝的Cannonlake處理器進行準備工作，并已經開始宣傳其先進制造工藝的優勢。英特爾將在10納米工藝方面與三星等競爭對手決一勝負。例如，高通已經開始向客戶交付采用三星10納米FinFET工藝的驍龍835處理器，并推出集成有48個內核的Centriq 2400 ARM服務器芯片嘗試向英特爾傳統領地發起進攻。但英特爾認為，它擁有出色的生產工藝，希望外界了解這一點。

       但是，如果問起英特爾是如何看待10納米工藝的，英特爾會稱其10納米工藝遠遠領先于競爭對手。

       事實上，英特爾在“Technology and Manufacturing Day”中表示，其10納米制造工藝比“其他公司”領先整整一代。英特爾還表示，在10納米工藝方面，它有最高的功能密度，并采取措施確保在性能和成本方面遠遠領先于三星等競爭對手。

       據英特爾稱，其10納米芯片制造成本比對手低30%。

       HotHardware表示，在談到業界對摩爾定律是否已經失效的擔憂時，英特爾執行副總裁斯塔西·史密斯(Stacy Smith)進行了反駁，“按單個晶體管成本計算，我們的下跌速度略快于歷史水平。摩爾定律還有生命力。我們邁出的步伐更大，領先業界對手3年時間。”

       那么問題來了，英特爾如何證明其領先優勢呢？除已經在采用第三代3D FinFET工藝外，英特爾還把晶體管柵極間距由14納米工藝的70納米減少至10納米工藝的54納米，最小金屬間距(minimum metal pitch)由52納米縮小到36納米。因此，英特爾10納米工藝芯片邏輯晶體管密度是上一代14納米工藝的2.7倍，是與其最接近競爭對手的2倍。

       HotHardware稱，如上圖所示，芯片制造工藝由45納米發展到32納米和22納米時，芯片模區減小的比例都是0.62倍，但芯片制造工藝由22納米發展到14納米時，減小比例大幅提升，制造工藝由14納米發展到10納米時，減小比例再次提升。這一超高的減小比例使得英特爾能比競爭對手生產更小和密度更高的10納米工藝芯片。

       英特爾稱，10納米工藝的進一步優化，意味著與14納米產品(例如Skylake和Kaby Lake)相比，即將發布的Cannonlake處理器性能會提升至多25%，能耗會降低45%。未來，英特爾將開發被稱作“10++”的“增強版”10納米工藝，性能會再提升15%，能耗則會再降低至多30%。
       史密斯稱，“我們總是會考慮以后3代工藝——7-9年。目前我們在考慮7和5納米工藝。我們可能還不十分清楚哪種方法最適合5納米工藝，但我們的文化因這些挑戰而發展?！?/p>