去年11月份,高通正式宣布了旗下的新旗艦處理器驍龍835,隨后又在今年初的CES大展上公布了它的技術(shù)細(xì)節(jié)。現(xiàn)如今,驍龍835終于要在國(guó)內(nèi)正式亮相了。
今天,高通宣布,將于3月22日下午在北京召開驍龍835亞洲首秀活動(dòng),屆時(shí)將詳細(xì)介紹驍龍835的一些技術(shù)細(xì)節(jié),據(jù)說還有會(huì)跑分展示,令人非常期待。
目前已經(jīng)公開的數(shù)據(jù)顯示,驍龍835采用10nm工藝打造,集成了八顆高通自主研發(fā)的Kryo 280處理器核心,四顆大核心頻率為2.45GHz,四核小核心頻率則是1.9GHz;內(nèi)置的GPU為Adreno 540,DSP省級(jí)到Hexagon 682。
此外,驍龍835還整合了X16 LTE基帶,這讓它成為了全球首款下行速率達(dá)到千兆級(jí)別的SoC。同時(shí),驍龍835還支持QC 4.0快速充電,相比QC 3.0來說效率可提升30%,速度能夠提升20%,而且發(fā)熱量更低。
而通過10nm工藝加持,高通表示驍龍835的核心面積減少了35%,而且功耗相比驍龍821降低25%。
據(jù)說,三星Galaxy S8、小米6等旗艦機(jī)均已確定會(huì)搭載驍龍835處理器,前者本月底會(huì)正式發(fā)布,后者的發(fā)布時(shí)間最遲應(yīng)該是4月份。
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