半導體市況好熱鬧，就在臺積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達先進制程的業(yè)界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。

聯(lián)電CEO顏博文表示，這次達成14nm量產(chǎn)的里程碑，象征聯(lián)電成功攜手客戶，將先進技術(shù)導入市場，同時與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續(xù)優(yōu)化此制程，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢，以驅(qū)動次世代硅芯片于網(wǎng)絡(luò)、人工智能和各類消費產(chǎn)品等各領(lǐng)域的應(yīng)用。

聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競爭力已達業(yè)界領(lǐng)先標準，速度較28nm增快55％，閘密度則達兩倍，此外，功耗亦較28nm減少約50％。 此14nm客戶芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來將因應(yīng)客戶需求，穩(wěn)步擴充其14nm產(chǎn)能。

聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù)， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門聯(lián)芯的晶圓制程推進到28nm量產(chǎn)，搶食在大陸制造最大一塊的手機和網(wǎng)通芯片代工商機。

顏博文強調(diào)，14納米FinFET制程效能競爭力已達業(yè)界標準，速度比28 nm增快55%，閘密度達兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50%。

因聯(lián)電28nm制程良率相當穩(wěn)定，也是目前市場中端手機芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片需求最迫切的制程，預料聯(lián)電將會把重心集中沖刺聯(lián)芯將制程推升至28nm，挾大陸制造，擠下強敵中芯，在28nm拉升市占，讓聯(lián)電搶食大陸快速崛起的芯片大餅，打通任督二脈。

聯(lián)電目前與和艦共持有聯(lián)芯50%股權(quán)，聯(lián)芯去年11月開幕，導入聯(lián)電的55nm及40nm制程技術(shù)生產(chǎn)。