艾邁斯半導(dǎo)體（ams AG）推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝（“A30”）。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能，并通過光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導(dǎo)體高級0.35μm高壓CMOS制程工藝系列產(chǎn)品的0.9倍。

A30技術(shù)包括性能優(yōu)化的絕緣3.3V器件（NMOSI和PMOSI）、絕緣3.3V低壓器件（NMOSIL和PMOSIL）、一個具有薄柵氧化層厚度的絕緣高壓器件（(NMOSI20T)、垂直雙極型晶體管（VERTN1和VERTPH）以及一個絕緣3.3V超級低噪聲晶體管（NMOSISLN），可以提供0.46 pA/?Hz水平的閃爍噪聲（@ 1kHz，ID = 1μA @ Vds = 3V，10x1.2μm2）。與H35制程工藝相比，可以降低高漏電流的閃爍噪聲至少4至10倍。整個器件還包括各種電容（聚酯電容、插入式電容和MOS電容）和電阻（擴散電阻、阱電阻、聚酯電阻、高阻聚酯電阻和精密電阻）等無源器件。

A30制程工藝非常適用于超低噪聲傳感應(yīng)用和需要噪聲優(yōu)化輸入級或高信噪比的模擬讀出集成芯片，可為消費類電子產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備開發(fā)出創(chuàng)新型的解決方案。A30制程工藝由艾邁斯半導(dǎo)體先進的200mm制造工廠制造并全面檢測，可確保極低的缺陷密度和最高產(chǎn)量。所有0.30μm元件均按照0.35μm器件繪制并驗證。在光罩車間內(nèi)根據(jù)完整的GDSII數(shù)據(jù)進行制程微縮（0.9倍），使得單位面積的晶圓可以生產(chǎn)出更多尺寸較小的芯片。

艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示：“我們的A30高性能模擬低噪聲制程工藝可以幫助開發(fā)出更具競爭力的傳感應(yīng)用和模擬讀出集成芯片，噪聲性能優(yōu)越是其一大關(guān)鍵。代工客戶利用A30制程工藝生產(chǎn)復(fù)雜的集成芯片可以獲得雙重收益，超低噪聲晶體管具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的閃爍噪聲系數(shù)，提高了性能，而光學(xué)收縮又大大減少了噪聲敏感應(yīng)用的芯片面積。”

A30制程工藝由艾邁斯半導(dǎo)體知名的行業(yè)設(shè)計套件hitkit提供支持。基于Cadence公司的Virtuoso?定制集成芯片技術(shù)6.1.6，新的hitkit套件可幫助設(shè)計團隊大幅縮減競爭激烈的密集模擬混合信號產(chǎn)品的上市時間。新的hitkit套件具備高精確仿真模型和基于Calibre和Assura以及靈活的SKILL參數(shù)單元（PCells）的提取和驗證運行設(shè)置，可提供全面的設(shè)計環(huán)境和成熟的硅路線。現(xiàn)在，如需獲得支持A30制程工藝的4.15版新hitkit套件，可登錄晶圓代工支持服務(wù)器http://asic.ams.com/hk415。

獲取更多有關(guān)艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部的全面服務(wù)和技術(shù)組合信息，請訪問www.ams.com/foundry。