三星電子和英特爾將大幅拓展晶圓代工事業(yè)領(lǐng)域。過去掌握晶圓代工市場的臺積電、格羅方德等單純晶圓代工業(yè)者，和三星、英特爾等綜合半導(dǎo)體企業(yè)(IDM)憑借各自的優(yōu)勢，形成競爭版圖。

　　據(jù)韓國朝鮮日報報導(dǎo)，三星在大陸上海舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum)，以海思半導(dǎo)體、展訊、聯(lián)發(fā)科等IC設(shè)計業(yè)者為對象進行技術(shù)說明會。

　　三星大陸負責(zé)人崔哲(音譯)在100多名業(yè)界與會人士面前公開三星最尖端的10納米、14納米制程，并介紹8寸制程等可提升成本效益。

　 　韓國業(yè)界認為，三星將以本次活動為起點，積極在大陸確保晶圓代工客戶。三星自數(shù)年前開始逐漸降低對最大客戶蘋果(Apple)的依賴，為吸引新客戶，扶 植晶圓代工技術(shù)。2014年三星也與意法半導(dǎo)體(ST)合作，開始研發(fā)28納米完全空乏式(depletion-type)絕緣上覆矽(FD-SOI)技 術(shù)。

　　FD-SOI制程是在矽晶圓上制造輕薄絕緣氧化膜，再形成平面型電晶體電極的半導(dǎo)體制程。因外泄電流量少，用電效率最高提升近2倍，且可大幅縮減生產(chǎn)成本。2015年3月三星完成FD-SOI產(chǎn)品測試階段，目前也完成商用化生產(chǎn)準備。

　　韓國半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，移動應(yīng)用處理器(AP)等高集成芯片一般會使用傳統(tǒng)3D FinFET制成，結(jié)合類比電路的無線通訊(RF)芯片等，仍最適用FD-SOI制程。三星為生產(chǎn)處理器之外的芯片，一定會使用FD-SOI制程。

　 　全球半導(dǎo)體龍頭英特爾也宣布在晶圓代工市場上拓展領(lǐng)域。韓國業(yè)界先前預(yù)測英特爾2011年進軍晶圓代工市場，而英特爾也透過與樂金電子(LG )、展訊、拓朗半導(dǎo)體(Altera)等大客戶合作，正式跨足市場。近來英特爾獲得ARM設(shè)計授權(quán)，2017年下半將運用10納米制程，生產(chǎn)樂金手機AP 產(chǎn)品。

　　三星、英特爾等IDM大廠加強對晶圓代工市場攻略的理由，是因相關(guān)市場獲利性將持續(xù)成長。半導(dǎo)體微細制程轉(zhuǎn)換逐漸進入瓶頸，IC設(shè)計業(yè)者委托生產(chǎn)具一定水準的芯片的成本也逐漸攀升。

　　有資料顯示，2016年半導(dǎo)體整體市場將出現(xiàn)2%負成長，但晶圓代工領(lǐng)域的成長率預(yù)估有9%。

　　另一方面，臺積電獨吞逾5成市占率的晶圓代工市場版圖，是否會因三星和英特爾的攻勢出現(xiàn)變化，受到市場關(guān)注。

　　韓國業(yè)界認為在生產(chǎn)效益方面，臺積電、格羅方德等專門晶圓代工業(yè)者握有優(yōu)勢，但在微細制程、封裝等高難度制程方面，三星和英特爾則較為領(lǐng)先。