近日，中芯國際和ARM公司共同宣布：中芯國際采用ARM Artisan物理IP系列產品中的ARM Metro?低功耗/高密度產品和Advantage?高性能產品，用于90納米LL（低滲漏）和G（主流）處理工藝。該協議通過在ARM網站免費下載的方式進一步增進了兩家公司在推動前沿設計和制造方案方面的協作和承諾。  

中芯國際設計服務副總裁Paul Ouyang表示：“同ARM的繼續合作進一步加強了我們對客戶的承諾：提供包括ARM高質量的、經芯片驗證的物理IP在內的全面的制造發展藍圖。通過和ARM的合作，我們可以向90納米工藝的客戶提供ARM Metro和Advantage產品，幫助他們縮短設計時間、降低風險并加快產品上市速度。”  

ARMMetro低功耗/高密度IP針對便攜式電子產品作了優化；AdvantageIP提供高速度低功耗的性能表現，能夠滿足諸多消費電子、通信和網絡市場中的應用要求。Metro和Advantage產品都包括ARM標準單元庫和多重存儲編譯器。Metro標準單元包括功耗管理工具套件，能夠實現動態和耗散功率節省技術，例如時鐘門控、多電壓島和功率門控。Metro存儲編譯器也提供類似的先進的功率節省特性。  

Metro和Advantage IP包括ARM廣泛的Views和模型集，提供和很多業界領先EDA工具的整合。這些Views在諸多運行條件下為Metro和Advantage產品提供功能、時鐘和功率信息，從而使設計師可以實現復雜的電能管理系統，在他們的SoC中主動地控制動態和耗散功率。  

ARM物理IP市場部副總裁Neal Carney表示：“中芯國際的先進技術發展藍圖繼續為客戶提供最適合目前SoC設計的執行方案。通過采用ARM Metro和Advantage產品，中芯國際的客戶在消費電子、通信和網絡應用中有了一個優化的物理IP選擇。”  

ARM Metro 和 Advantage IP設計Views預計將在2006年第四季度通過ARM網站向授權顧客提供免費下載。幫助客戶開始設計和仿真工作的初步的“前端”設計Views預計將于2006年第二季度末上市。