單結晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e。

　　一、單結晶體管的特性

　　從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：

　　rbb=rb1+rb2

　　式中：rb1----第一基極與發(fā)射結之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發(fā)射結之間的電阻，其數(shù)值與ie無關；發(fā)射結是PN結，與二極管等效。

　　若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb，則A點電壓為：

　　VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb

　　式中：η----稱為分壓比，其值一般在0.3---0.85之間，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測得單結晶體管的伏安特性，

　　（1）當Ve＜η Vbb時，發(fā)射結處于反向偏置，管子截止，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。

　　（2）當Ve≥η Vbb+VD VD為二極管正向壓降（約為0.7伏），PN結正向?qū)ǎ琁e顯著增加，rb1阻值迅速減小，Ve相應下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負阻特性。管子由截止區(qū)進入負阻區(qū)的臨界P稱為峰點，與其對就的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為峰點電壓Vp和峰點電流Ip和峰點電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結晶體管導通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb

　　（3）隨著發(fā)射極電流ie不斷上升，Ve不斷下降，降到V點后，Ve不在降了，這點V稱為谷點，與其對應的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點電壓，Vv和谷點電流Iv。

　　（4）過了V點后，發(fā)射極與第一基極間半導體內(nèi)的載流子達到了飽和狀態(tài)，所以uc繼續(xù)增加時，ie便緩慢地上升，顯然Vv是維持單結晶體管導通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve＜Vv，管子重新截止。

　　二、單結晶體管的主要參數(shù)

　　（1）基極間電阻Rbb 發(fā)射極開路時，基極b1、b2之間的電阻，一般為2--10千歐，其數(shù)值隨溫度上升而增大。

　　（2）分壓比η 由管子內(nèi)部結構決定的常數(shù)，一般為0.3--0.85。

　　（3）eb1間反向電壓Vcb1 b2開路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。

　　（4）反向電流Ieo b1開路，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。

　　（5）發(fā)射極飽和壓降Veo 在最大發(fā)射極額定電流時，eb1間的壓降。

　　（6）峰點電流Ip 單結晶體管剛開始導通時，發(fā)射極電壓為峰點電壓時的發(fā)射極電流

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