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半導體業突圍 芯片再進化

2016-07-15

  對半導體制造商和設備供應商來說,智慧手機PC市場飽和,無法帶動業績成長,以往生產功能更強晶片的傳統做法,預料也難扭轉頹勢,如今業界采用新技術,像是全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)和3D NAND。

  華爾街日報報導,半導體業面臨的業績壓力已經引發整并風潮,最新數據也指出,今年全球半導體設備廠商營收恐怕僅成長1%至369.4億美元,而晶片營收可能下滑2.4%,利空就是智慧手機的成長趨緩,PC市場也正在萎縮。半導體業都在問:下一個成長機會在哪里?

  如今有許多業者陸續采用新材料與新生產技術來因應市場變化,這些業者看好連網裝置需求,但物聯網的晶片需求不一樣,要求晶片成本控制在1美元以下,并且可運行數年,不需換電池。

  格羅方德(GlobalFoundries)與競爭對手三星電子已經采用稱為FD-SOI的技術,這項技術在耗電與成本上具有優勢,仰賴法國廠商Soitec特別量身訂制的半導體晶圓。

  Soitec執行長布德爾說,日本科技大廠Sony近來設計的智慧手機GPS晶片便使用FD-SOI技術,結果晶片耗電量只有原本晶片的十分之一,讓用戶可以更頻繁使用衛星定位技術,不必擔心會吃掉手機太多電力。

  有些業者也開始在不生產更小電晶體的情況下,進一步挖掘晶片的潛能,NAND快閃記憶體廠商已經以3D NAND的方式,透過堆疊多層電路來提升效能。這項技術需要采購許多生產設備,因此令許多廠商受惠,應用材料(Applied Materials)便是其中之一。

  閱讀祕書/FD-SOI

  全耗盡型絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insular,FD-SOI)是鰭式場效電晶體(FinFET)與三閘極電晶體架構(Tri-Gate)的互補技術,被視為是可望在物聯網與汽車市場取代FinFET的理想替代方案,其特色為功耗低、性能和成本效益較佳。目前支持FD-SOI的晶圓代工廠包括格羅方德以及三星電子。


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