2016年4月19日，北京（2016電子設計創新會議）-——射頻絕緣硅（RF SOI）技術創始者及先進射頻解決方案開創者派更半導體將在309號展位上展示兩款采用UltraCMOS?技術且適用于多赫蒂放大器的單片相位和振幅控制器（MPAC）——PE46130和PE46140。這兩款產品與PE46120均可為多赫蒂功率放大器提供最大的相位調諧靈活性。PE46120、PE46130 和 PE46140這三款引腳兼容產品均適用于頻率在1.8-3.8 GHz這一范圍內的多赫蒂功率放大器。

　　派更半導體推出支持氮化鎵功率放大器頻率的單片相位和振幅控制器產品

　　派更半導體市場總監Kinana Hussain表示：“相位和振幅控制對未來通信技術的發展至關重要，從LTE和5G技術到雷達技術，它們均依賴有效的數據交換。派更半導體的MPAC將支持通信技術未來的發展。派更半導體今天新推出了兩款集成型產品，這僅僅是一個開始。公司即將推出的MPAC系列產品將支持波束形成、全雙工無線通信以及5G應用等多種功能。此外，整個MPAC產品組合將繼續展現派更半導體UltraCMOS技術的智能集成能力。”

　　由于PE46130和PE46140是基于UltraCMOS技術而開發，它們具備的智能集成優勢（如穩定性好、靈活性高、支持小型封裝、可配置性強、系統性能更高等）是砷化鎵（GaA）解決方案無法比擬的。每款MPAC均無需使用分離元器件，集成了一個90度射頻分離器、多個5位數字式移相器、一個4位數字式步進衰減器以及一個數字式串行外設接口。

　　PE46130和PE46140是用于優化基于氮化鎵的多赫蒂功率放大器的理想之選，多赫蒂功率放大器通常在較高頻率下工作。低頻多赫蒂功率放大器通常基于橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術研制而成，因為在頻率低于2.0GHz時LDMOS具有效率和成本優勢。然而，在較高頻率下，這一效率優勢不復存在，而基于氮化鎵的多赫蒂功率放大器不僅性能較為穩定，而且還能滿足大功率密度需求。采用了UltraCMOS技術的PE46130適用于2.3-2.7GHz這一頻率范圍，而PE46140則適用于3.4-3.8 GHz這一頻率范圍。

　　雖然在多赫蒂放大器的架構下各組件的成本較高，但PE46130和PE46140可使用高效氮化鎵晶體管，以提高組件的總體效益，進而降低材料成本。此外，這些控制器可通過改善匹配度和提高數字預失真回路效率來增強功率附加效率、整個頻率范圍內的線性度以及多赫蒂帶寬。這兩款產品能夠提供最大的相位調諧靈活性，促使收發器路徑之間的統一性和重復性，同時能夠提高系統穩定性。單片控制器可通過滿足不同現場需求的數字接口進行遠程編程。得益于這樣的靈活性，工程師可基于運營和環境因素對相位和振幅進行實時調整。

　　特性、封裝、定價及供貨

　　除了支持不同的蜂窩頻段外，PE46130和PE46140的特性和性能優勢都十分相似。這兩款產品的相位范圍為87.2°（步長：2.8°）、衰減范圍為7.5 dB（步長：0.5 dB）。PE46130和PE46140可提供高于60dBm IIP3的高線性度，功耗僅為0.35mA。特別要指出的是，各控制器能夠提供35dBm（P0.1dB）的高功率處理能力以及30dB的較高端到端隔離度。UltraCMOS技術可確保控制器在所有射頻引腳上能承受至少1kV的靜電放電，運營溫度范圍擴大至+105°C，電源范圍達到2.3V-5.5V。這些控制器產品均符合《電子電氣設備中限制使用某些有害物質指令》的相關要求，并采用32引引腳、6×6 mm QFN封裝方式。

　　PE46130和PE46140樣本和評估工具包現已發布，PE46130現已開始批量生產。對于PE46130，1000件批量購買價格9.37美元/個，5000件批量購買價格為7.60美元/個，10000件批量購買價格為7.03美元/個。對于PE46140，1000件批量購買價格為10.31美元/個，5000件批量購買價格為8.36美元/個，10000件批量購買價格為7.73美元/個。

　　請登陸派更半導體的新聞編輯部（www.psemi.com/newsroom）查看產品圖片和視頻。