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安森美半導體最新的BSI技術為汽車ADAS和視圖攝像機 提供同類最佳性能

最新的1/3英寸100萬像素背照式(BSI)CMOS圖像傳感器 顯著改善微光信噪比、可見光靈敏度和紅外性能
2015-07-13

       2015 年 7 月 13 日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),正擴展受高度評價的1/3英寸100萬像素(MP)圖像傳感器產品陣容,推出以公司首款背照式(BSI)傳感器技術的早期樣品用于汽車成像市場。相較當前領先市場用于先進駕駛輔助系統(ADAS)的AR0132AT CMOS 圖像傳感器,該創新的新的BSI傳感器技術提供好4倍的微光信噪比,增加40%的可見光靈敏度,和提升超過60%的近紅外(NIR)性能。

       安森美半導體汽車和掃描分部副總裁Sandor Barna說:“這新的BSI技術帶給汽車市場的優勢是令人興奮的。基于此技術的最先進的BSI器件,我們是提供早期樣品階段,它具備真正領先業界的微光性能,彰顯我們持續投資于汽車成像技術的承諾。”

       首款采用這新技術的產品將是AR0136AT 1/3英寸光學制式CMOS數字圖像傳感器,提供1280 x 960的分辨率和3.75微米BSI像素(p)。AR0136AT支持線性和高動態范圍(HDR)模式,是一個單芯片HDR方案,在HDR模式下具有120分貝(dB)動態范圍。它的輸出像素率為74.25 MP/秒(最大值),由此產生的幀率為在960p分辨率時的45幀每秒(fps)和在720p分辨率時的60幀每秒。它的工作結溫范圍是-40 °C  至125 °C,并完全符合AEC-Q100。工程樣品將于2015年第三季度提供,計劃于2016年初量產。

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關于安森美半導體

       安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力于推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案,提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、醫療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。


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