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住友電工涉足SiC功率元件業務

2015-06-09

      住友電氣工業(住友電工)將涉足SiC功率元件業務。該公司將利用通過日本產業技術綜合研究所的“Tsukuba Power-Electronics Constellations(TPEC)”試產線確立的量產制造技術開展業務。業務開始的具體時間未定,不過該公司預計SiC功率元件市場到2020年左右將形成規模,所以“將在此之前啟動業務”。住友電工此前已試制出SiC功率元件和功率模塊等,并在學會及展會等場合進行了展示,但當時沒有明確是否開展商業化運作。

  住友電工的SiC功率元件的特點是在柵極部分挖V字型溝道的MOSFET。在柵極部分挖溝的普通溝道型MOSFET,溝道側面與元件表面垂直,而住友電氣工業的試制品是V字型溝道,溝道側面與元件表面斜交。通過V字型溝道,可以形成缺陷少的氧化膜界面,能夠實現低導通電阻。比如,耐壓1200V產品實現了2.0mΩcm2的低導通電阻。電流值為50A。

  由于缺陷少,閾值電壓的變動也很小。在175℃、1000小時內,閾值電壓變動量在0.12V以下。

  住友電工在2015年5月舉行的功率半導體國際會議“第27屆International Symposium on Power Semiconductor Device & ICs(ISPSD)”上發布了具有上述特性的SiC MOSFET。這是利用口徑6英寸的SiC基板制成的。芯片尺寸為3mm見方。

  另外,發布者獲得了ISPSD的年輕人最優秀獎(Charitat Award)。


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