《電子技術(shù)應(yīng)用》
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低壓CMOS滿幅度恒定增益運(yùn)算放大器設(shè)計
摘要: 本文基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,設(shè)計了電源電壓低至0.9V的運(yùn)算放大器。模擬結(jié)果顯示,在整個滿幅度范圍內(nèi),該運(yùn)算放大器增益波動僅為0.01%,可用于低壓低功耗的 SOC設(shè)計中。
關(guān)鍵詞: 放大器 低壓 CMOS 滿幅度恒定
Abstract:
Key words :

  1 引言

  隨著便攜式消費(fèi)電子需求的日益增長,低壓、低功耗設(shè)計已經(jīng)成為集成電路設(shè)計的研究熱點(diǎn)之一。趨勢表明[1],電壓的降低給模擬電路設(shè)計帶來很大挑戰(zhàn)。就低壓運(yùn)放設(shè)計而言,一般傳統(tǒng)采用互補(bǔ)差分對輸入級以實(shí)現(xiàn)滿幅度輸入范圍,然而,當(dāng)電源電壓低于Vt.NMOS+|Vt.PMOS|+VDS,PMOS-|VDS,PMOS|時,差分對會出現(xiàn)截止區(qū),導(dǎo)致最小電源電壓要高于2個閾值電壓與2個過飽和電壓之和。0.35μm工藝下Vt,NMOS的典型值為0.52V,Vt,PMOS的典型值為-0.75V,則傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的最小工作電壓只能在1.4V左右。為了避免采用復(fù)雜工藝實(shí)現(xiàn)電源電壓低于1V的運(yùn)算放大器而增加產(chǎn)品成本。見文獻(xiàn)[2-4]的電路結(jié)構(gòu)采用共模電平偏移的電路結(jié)構(gòu),箝位共模電平,在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下簡單地實(shí)現(xiàn)了低電壓運(yùn)算放大器。

  已有文獻(xiàn)[2]采用PMOS差分對來實(shí)現(xiàn)電源電壓為1V的運(yùn)算放大器,但由于Vt,PMOS的典型值為-0.75V,使得前置反饋電路的工作電平范圍為1-0.15V,幾乎涵蓋整個共模電平范圍,運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性降低,另外,該結(jié)構(gòu)下的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)也會受體效應(yīng)的影響

 

,影響增益的恒定性。本文采用NMOS差分對結(jié)構(gòu),還對前置反饋電平偏移電路進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn),使電源電壓降為0.9V的同時,提高了增益的恒定性。

  2 設(shè)計的基本思路

  基于前置反饋的電平偏移電路的設(shè)計如圖1,Vi+,Vi-的共模電平Vi,cm低于Vref時,通過反饋電路控制電流源獲得適當(dāng)?shù)碾娏鱅,Vin+,Vin-的共模電平Vin,cm提升到Vref,同時電阻傳遞完整的差模信號,再由Vin+,Vin-連接NMOS差分對來實(shí)現(xiàn)整體電路,如圖1所示。

  電平偏移電路示意圖

  設(shè)計的基本思路

  

   3 運(yùn)算放大器的具體實(shí)現(xiàn)

  反饋電路的實(shí)現(xiàn)

  反饋電路的實(shí)現(xiàn)如圖2所示,其反饋過程如下:Vi+,Vi-的共模電平Vi,cm降低時,Vin+,Vin-的共模電Vin,cm降低,此時IDM1減小,IDM11增大,Vx點(diǎn)的電位升高,IDM8增大,電阻的端電壓增大,Vin,cm升高。若Vref過高,由于Ib的大小和電流鏡工作電壓的限制,Vin,cm不會上升到Vtel的電平。為了M5與M6,M7的漏源電壓近似相等,引入M12增強(qiáng)電流鏡的匹配。   

  下面對反饋環(huán)路的穩(wěn)定性進(jìn)行分析,運(yùn)放A的開環(huán)增益為:

  運(yùn)放A的開環(huán)增益

  由式(5)可以看出,電路工作時,需要保持M8漏源電壓較小,則寬長較大,在相同的漏源電流下,Gm8不可能很小。所以在電路設(shè)計時,運(yùn)放A的跨導(dǎo)Gm1應(yīng)該可能小,補(bǔ)償電容C應(yīng)該較大,同時在版圖設(shè)計中應(yīng)該注意減小寄生電容Cp,以增強(qiáng)反饋的穩(wěn)定性。

  采用NMOS差分對的低壓運(yùn)算放大器

  采用NMOS差分對的低壓運(yùn)算放大器,結(jié)構(gòu)如圖3所示,其兩級直流增益可以分別為:Av1=gmt1[rot8//gmt6rot6+1]rot4] (6)

  Av2=gmt9(rot9//rot10) (7)

  其中,gmt1,gmt6,gmt9分別為MT1,MT6,MT9的跨導(dǎo),rot4,rot6,rot9,rot10分別為對應(yīng)MOS管的輸出電阻。   

  在設(shè)計電路過程中,MOS管應(yīng)較大寬長比,保持漏源電壓較小的同時,偏置電流也應(yīng)適當(dāng)減小,此時輸出電阻較大,隨共模電平波動也小,有助于低壓下獲得較大且穩(wěn)定的增益。

  4 模擬結(jié)果

  內(nèi)部電平隨輸入共模電平的關(guān)系

  在0.9V電源電壓下,為使M3,M4工作在放大區(qū),Vret可在0.62-1V之間取任意值,圖4結(jié)果顯示,在0-0.9V的共模電平范圍內(nèi),當(dāng)輸入端共模電平Vi,cm<0.62V時,此時反饋電路使得M1,M2工作在放大區(qū),內(nèi)部共模電平Vin,cm保持0.62V恒定;Vi,cm>0.62V時,Vx電位降低,反饋電路停止工作,Vin,cm隨Vi,cm增大而增大。

  在10pF外接負(fù)載情況下,交流特性如圖5所示。

  幅頻特性

  

  在滿幅度范圍內(nèi),運(yùn)算放大器的滯留增益,單位增益帶寬和相位裕度相當(dāng)穩(wěn)定,具體參數(shù)如表1所示。

  運(yùn)算放大器的基本參數(shù)

  

  5 結(jié)論

  本文基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,設(shè)計了電源電壓低至0.9V的運(yùn)算放大器。模擬結(jié)果顯示,在整個滿幅度范圍內(nèi),該運(yùn)算放大器增益波動僅為0.01%,可用于低壓低功耗的 SOC設(shè)計中。

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