隨著許多標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)(PCI、ATCA)，電信及服務(wù)器機(jī)柜的尺寸越來越小，功率密度會(huì)越來越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來越多，從而導(dǎo)致其電流不斷增加。所以，客戶需要具有更小體積和更高電流的ticle/index.aspx?id=22631">DC/DC電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)對(duì)處理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足客戶需求。
TI中國(guó)區(qū)電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師吳濤向記者介紹：“NexFET MOSFET技術(shù)本身就具有高密度結(jié)構(gòu)、低門極電荷、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，比溝槽技術(shù)的充電電荷降低了一半左右。全新的DualCool NexFET功率MOSFET是TI面向高電流DC/DC應(yīng)用推出的業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET產(chǎn)品系列。相對(duì)其他標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，該產(chǎn)品系列具有高效的雙面散熱技術(shù)，將允許通過FET的電流提高了50%，設(shè)計(jì)人員無需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動(dòng)的處理器。”
DualCool NexFET功率MOSFET使得功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的熱量能通過對(duì)流冷卻從頂端散出，不但提高了功率密度、電流承受能力，同時(shí)增強(qiáng)了系統(tǒng)穩(wěn)定性。圖1為DualCool NexFET和標(biāo)準(zhǔn)的QFN封裝截面視圖。由圖1可以看出，與傳統(tǒng)的MOSFET相比，DualCool上面有一塊金屬表層，其具有減少上表面熱阻的功能。也就是說，DualCool NexFET功率MOSFET上表面產(chǎn)生的熱量既可以通過下表面?zhèn)鞯桨迳先?，也可以通過上表面源極的金屬片傳遞到熱阻很小的額外的這塊金屬片上，再通過接觸傳遞到Heat Sink上去。通過系統(tǒng)級(jí)仿真證明，這種增強(qiáng)型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10~15 ℃/W降至1.2 ℃/W，從而將該封裝所能承受的功耗提升80%。
DualCool NexFET功率MOSFET采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)5 mm×6 mm SON封裝，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本，與使用2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)5×6封裝相比，可節(jié)省 30 mm2的空間。此外，作為單相35 A同步降壓轉(zhuǎn)換器的MOSFET，它采用1個(gè)MOSFET即可滿足高電流DC/DC應(yīng)用中的高、低側(cè)2種開關(guān)需求。該系列包含的5款NexFET器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的MOSFET可廣泛用于各種終端，如臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。
DualCool NexFET功率MOSFET是TI自2009年2月收購(gòu)高頻率高效率電源管理半導(dǎo)體設(shè)計(jì)商CICLON半導(dǎo)體器件公司以來推出的第一款全新的功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步壯大了TI現(xiàn)有的電源管理產(chǎn)品系列，也標(biāo)志著TI能夠?yàn)榭蛻籼峁┛芍С指咝щ娫丛O(shè)計(jì)的完整解決方案。