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羅姆推出24種AC/DC轉(zhuǎn)換器用電源IC產(chǎn)品

內(nèi)置功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高效化與小型化
2013-07-09

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)開發(fā)出構(gòu)成AC適配器和各種家電的一次電源的AC/DC轉(zhuǎn)換器用電源IC“BM2Pxxx/BM2PxxxF系列”。

新系列產(chǎn)品有24種,采用了羅姆自產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻超級(jí)結(jié)MOSFET,并優(yōu)化了電路,因此達(dá)到了業(yè)界頂級(jí)的效率與低噪音。另外,還擁有表面貼裝型SOP8封裝產(chǎn)品,非常有助于設(shè)備的小型化。今后,羅姆將繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品群,使白色家電和TV的待機(jī)電源、顯示器的適配器等各種家電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的效率。

前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本濱松市),后期工序?yàn)镽OHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓),所有工序都在羅姆內(nèi)部完成。該系列產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2013年7月份開始出售樣品(樣品價(jià)格:100日元~300日元),從9月份開始實(shí)施量產(chǎn)。

 

AC/DC轉(zhuǎn)換器是組成電氣電子設(shè)備的一次電源的元器件,市場(chǎng)需要的是更加節(jié)能、更加節(jié)省空間、更加方便使用的產(chǎn)品。AC/DC轉(zhuǎn)換器用電源IC一般作為電源整體要滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)能源之星(Energy Star)的規(guī)定,對(duì)于包括待機(jī)時(shí)的高效化要求極高。另外,零部件個(gè)數(shù)較多而安裝面積有限,因此存在設(shè)計(jì)復(fù)雜、設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)的課題。

羅姆針對(duì)該市場(chǎng),充分利用LDO和DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域多年積累的電源技術(shù)以及分立晶體管的模擬電源技術(shù),開發(fā)出25W以下的AC適配器、家電、辦公設(shè)備用的、滿足小型高效需求的“BM2Pxxx/BM2PxxxF系列”產(chǎn)品。

※個(gè)別產(chǎn)品的樣品出售、量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì)發(fā)生變更。

 

<特點(diǎn)>

1)      更加高效,有助于設(shè)備更加節(jié)能

為了提高效率,采用了羅姆自產(chǎn)的高效超級(jí)結(jié)MOSFET;為了最大限度發(fā)揮出內(nèi)置MOSFET的性能,徹底優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)電路。效率符合Energy Star 6.0要求的86.35%,用于AC100V、25W的適配器時(shí),與一般產(chǎn)品相比,僅僅替換IC本身就能實(shí)現(xiàn)87%以上的效率。通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化外圍部件,效率還可改善到90%以上。

 

 

 

 

 

 

 

2)      改善效率,大大降低待機(jī)功耗

此次內(nèi)置的超級(jí)結(jié)MOSFET耐壓達(dá)650V,是實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻(SOP-8也僅4.0Ω)、低柵極電荷(Qg)及高速開關(guān)的功率MOSFET。待機(jī)功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)Energy Star 6.0要求的100mW以下,用于25W的適配器時(shí),AC100V時(shí)僅為20mW以下,AC230V時(shí)僅為30mW以下。通過(guò)優(yōu)化外圍部件,有望進(jìn)一步降低功耗。

 

 

 

 

 

 

 

3)      采用羅姆自產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET,實(shí)現(xiàn)小型封裝

AC/DC一般多采用平面型MOSFET,因散熱問(wèn)題而較難實(shí)現(xiàn)小型化。此次,羅姆采用了自產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET。通過(guò)內(nèi)置多種保護(hù)功能減少了外置部件數(shù)量。8W級(jí)別以下的產(chǎn)品,除了標(biāo)準(zhǔn)的DIP7封裝,又新增了可表面貼裝的SOP-8封裝產(chǎn)品。采用SOP-8封裝(6.2mm×5.0mm×1.5mm)產(chǎn)品,安裝面積可節(jié)省47%,不僅能使配套產(chǎn)品更加小巧,而且設(shè)計(jì)和基板布局也更加簡(jiǎn)單。

 

 

 

 

 

 

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

?超級(jí)結(jié)MOSFET

利用耗盡層在三維空間中的的拓寬,實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)產(chǎn)品更低損耗的功率MOSFET。

?PWM(pulse width modulation)

調(diào)制方式的一種,通過(guò)延長(zhǎng)、縮短脈沖信號(hào)的輸出時(shí)間來(lái)控制電流和電壓的方法。

 

<關(guān)于Energy Star>

?1992年美國(guó)環(huán)境保護(hù)局(EPA)和美國(guó)能源部(DOE)制定的、面向消費(fèi)者的關(guān)于產(chǎn)品能效的標(biāo)準(zhǔn)制度。對(duì)象產(chǎn)品

  涵蓋電腦、打印機(jī)、復(fù)合機(jī)等眾多產(chǎn)品。日本于1995年參與能源之星計(jì)劃,由經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省作為“國(guó)際能源之星項(xiàng)

  目”實(shí)施。另外,Energy Star 6.0將于2013年夏季修訂。

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