技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵(GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時改進效率和增益。這些新的氮化鎵晶體管可在直流至6 GHz寬廣的工作頻率上提供30-37W (CW) 射頻輸出功率。它們是商業(yè)通信和測試設備系統(tǒng)等類似的寬帶系統(tǒng)應用的理想選擇。
TriQuint新的氮化鎵功率晶體管包括28V的T1G6003028-FS，其工作頻率為直流至6 GHz，提供30W的輸出功率，在3.5 GHz和6 GHz頻率時的效率分別為55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法蘭封裝來滿足不同封裝的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法蘭封裝的T1G4003532-FL是用于S波段及類似應用的理想選擇。它們在直流至3.5 GHz工作頻率下提供37W (CW) 輸出功率。上述兩種32V器件均在3.5GHz和6 GHz分別提供大于16dB和10dB的增益；其附加功率效率(PAE)在5GHz和6GHz分別為60%和49.6%。
所有四款新的氮化鎵晶體管均可承受高達10:1的駐波比(VSWR) 失配而不損害功能，同時為在高漏偏壓條件下工作而優(yōu)化，從而降低系統(tǒng)成本和散熱管理成本。所有器件均可出口至大多數(shù)國家；詳情請與TriQuint聯(lián)系。
技術規(guī)格– 新的TriQuint 氮化鎵晶體管：
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直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時, 增益為14dB；在6 GHz時，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時為55%, 在6GHz時為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。 |
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直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時, 增益為14dB；在6 GHz時，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時為55%, 在6GHz時為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99法蘭封裝。 |
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直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W CW；在3.5 GHz時, 增益超過16dB；在6 GHz時，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時為60%, 在6GHz時為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。 |
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直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：37W CW；在3.5 GHz時, 增益超過16dB；在6 GHz時，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時為60%, 在6GHz時為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。 |
如需樣品和評估板請聯(lián)系產(chǎn)品營銷部。訪問TriQuint網(wǎng)站來接洽所在地區(qū)的銷售代表。
關于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）是提供世界領先水平的通信、國防和航空航天公司創(chuàng)新射頻解決方案與代工服務的全球領先供應商。世界各地的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯(lián)系；TriQuint產(chǎn)品可幫助降低用于提供關鍵語音、數(shù)據(jù)和視頻通信的互聯(lián)移動設備與網(wǎng)絡的成本和提高它們的性能。憑借業(yè)內最廣泛的技術系列、公認的研發(fā)領先地位以及在大規(guī)模制造領域的專業(yè)知識，TriQuint生產(chǎn)基于砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、聲表面波(SAW) 和體聲波(BAW) 技術的標準及定制產(chǎn)品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠，在哥斯達黎加擁有生產(chǎn)中心，在北美地區(qū)和德國擁有設計中心。欲知更多信息請訪問http://cn.triquint.com/。