橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布其在28納米FD-SOI技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。

    FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設計流程。技術平臺包括全套的基礎程式庫（標準單元、存儲器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口）；設計流程適合開發(fā)高速的高能效器件。

     較傳統(tǒng)制造技術，FD-SOI技術可在大幅提升性能的同時大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選擇采用意法半導體的FD-SOI技術設計未來的移動平臺。

     意法半導體執(zhí)行副總裁、數字產品部總經理兼首席技術與制造官Jean-Marc Chery表示：“在產品和技術研發(fā)領域，意法半導體在很久以前就開始探索新的解決方案。FD-SOI技術的投產，使意法半導體再次躋身全球最具創(chuàng)新力的半導體技術研發(fā)制造企業(yè)之列，后端晶圓測試證明，較傳統(tǒng)制造技術，FD-SOI在性能和功耗方面具有明顯優(yōu)勢，讓我們能夠在28納米技術節(jié)點創(chuàng)建高成本效益的工業(yè)解決方案。ST-Ericsson的NovaThor ModAp的最大處理頻率超過2.5Ghz，在0.6V時達到800MHz，對該平臺的子系統(tǒng)的測試證明，該技術符合設計預期，具有靈活性和寬電壓范圍，可支持電壓和頻率動態(tài)調整（DVFS）。”

     與制造成功同等重要的是，意法半導體發(fā)現了從28納米傳統(tǒng)CMOS制程（Bulk CMOS）向28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP的簡單方法，由于沒有MOS歷史效應，用傳統(tǒng)CAD工具和方法設計FD-SOI數字系統(tǒng)級芯片的過程與設計體效應器件完全相同。FD-SOI能夠用于制造高能效的器件，必要時，動態(tài)體偏壓能讓器件立即進入高性能模式，而其余時間保持在低泄漏電流模式，這些對于應用軟件、操作系統(tǒng)和高速緩存系統(tǒng)都完全透明。較體效應CMOS制程技術，FD-SOI可實現更優(yōu)異的性能及低工作電壓，并擁有非常出色的能效。

關于意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術，到數字信任和數據安全，從醫(yī)療健身設備，到智能消費電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導體代表著科技引領智能生活（life.augmented）的理念。