應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS)絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。

這些新器件提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性。這些最新IGBT器件增添至安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有超過30款的IGBT產(chǎn)品系列中，將產(chǎn)品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產(chǎn)品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應(yīng)用高性能電源轉(zhuǎn)換的器件。

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品高級總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說：“全球能耗的大幅增加及對經(jīng)濟及環(huán)境預(yù)計帶來的不利影響，持續(xù)推動對更高性能功率分立元器件的需求。這些新一代器件在提供高性價比及業(yè)界領(lǐng)先能效的同時無損強固性。安森美半導(dǎo)體專有的溝槽型場截止技術(shù)能為工程師在應(yīng)用其電源系統(tǒng)設(shè)計時提供更豐富的選擇。”

第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產(chǎn)品采用強固及高性價比的溝槽型技術(shù)結(jié)構(gòu)，為高頻開關(guān)應(yīng)用提供優(yōu)異的性能。低開關(guān)損耗及超快恢復(fù)二極管使它們非常適合于高頻太陽能、UPS及逆變焊機應(yīng)用。這些器件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(I_C)。三款器件均經(jīng)過高度優(yōu)化，用于頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關(guān)應(yīng)用，提供低導(dǎo)通電壓(V_CEsat)及低門電荷(Qg)特性，并具備超快恢復(fù)能力，提供極低開關(guān)損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT器件都提供−55 °C至+150 °C的工作結(jié)溫。

第二組新器件也拓寬了安森美半導(dǎo)體的溝槽型場截止IGBT器件陣容，將產(chǎn)品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG及NGTB40N120LWG提供低V_cesat及強固的短路特性，帶有快速恢復(fù)二極管，用于低頻(2 – 20 kHz)硬開關(guān)應(yīng)用，如電機控制變頻應(yīng)用。與這兩款器件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些器件具有均衡的開關(guān)及導(dǎo)電損耗，用于中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應(yīng)加熱及其它軟開關(guān)應(yīng)用，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。

封裝及價格

NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。