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科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管為太陽能、電機驅動和牽引應用提高效率并節約成本

擴大了碳化硅對于分立器件設計低功率系統的優勢,可替代大范圍功率級硅二極管
2012-02-03
作者:科銳
關鍵詞: 碳化硅 二極管 EMI

  碳化硅(SiC)功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現有碳化硅肖特基二極管技術條件下,該系列二極管可提供業界最高的阻斷電壓。科銳1700V Z-Rec®肖特基二極管從根本上消除了硅PiN二極管替代品中存在的反向恢復損耗,能夠使系統實現超高效率并且更小、更輕,同時提高了整體的可靠性。此次發布的全新封裝產品采用1700V Z-Rec技術,進一步提升分立器件設計低功率應用的性能并且節約系統成本。
 
  科銳功率與射頻(RF)副總裁兼總經理 Cengiz Balkas 表示:“科銳1700V碳化硅肖特基二極管是高效電力電子系統的理想選擇。它擁有業經驗證的科銳Z-Rec碳化硅肖特基二極管的所有優勢——包括零反向恢復損耗,不受溫度影響的開關以及在更高頻率下工作。”
 
  1700V裸芯片已經提供給自主設計定制電源模組的客戶進行使用。而新型TO-247-2封裝能夠使客戶充分運用低功率1700V設計的碳化硅的優勢,在選擇電流級別時擁有更大的設計靈活性,并加快產品上市時間。
 
  Balkas進一步指出:“1700V碳化硅肖特基二極管為高壓電源應用領域的設計工程師提供了諸多優勢。碳化硅二極管能夠實現最大電源效率和更好的電磁干擾(EMI)性能。開關損耗的改善則能夠提高系統頻率,從而縮小電磁性和電容性器件的尺寸,并且能夠使得系統整體尺寸、重量和成本都將顯著減少。此外,1700V碳化硅二極管可以消除多個低電壓硅二極管的疊加使用,從而能夠減少器件數量,提高散熱性能和可靠性。”
 
  科銳C3Dxx170H新型碳化硅二極管系列的額定電流/電壓分別為10A/1700V和25A/1700V,均采用業界標準的TO-247-2封裝,工作結溫為-55°C至+175°C。
 
  產品數據現可從www.cree.com/power/diodes.asp獲取,如欲了解器件的供貨情況,敬請與科銳公司聯系。如需索取樣品及進一步了解科銳碳化硅功率器件,敬請訪問www.cree.com/power
 

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