《電子技術應用》
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東亞日報:新半導體戰(zhàn)爭

2011-09-23
來源:Csia

  半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代,因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內存(D-RAM)市場占上風。但由于大型計算機的出現(xiàn),需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代,日本企業(yè)名列前茅。而進入二十世紀九十年代后,高性能D-RAM成為了浪費品,反而小而貴的半導體深受歡迎。因此,大量生產PC用D-RAM的三星電子瞬間超越日本企業(yè)。那么走進智能手機、平板計算機時代的如今,在節(jié)省電力的移動式D-RAM競爭中誰會取得最終勝利?
  
  昨天在三星電子器興區(qū)華城舉辦的“20NANO級D-RAM及Flash量產”活動中再次驗證了三星電子是內存半導體的至尊。“一只老虎(三星電子)和三只小貓(Hynix、Elpida、Micron)”這一世界半導體生產結構沒有改變。今年5月,排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量產計劃”,進而讓全世界震驚。不過目前只生產出試用品,沒能動搖三星電子18年的根基。另外,排名世界第二的Hynix要從明年初開始量產。
  
  所謂20NANO是指半導體線路的線幅(電線間距)為20NANO米(1NANO米是10億分之一米)。線幅是頭發(fā)的4000分之一,真是令人難以想象。屬于尖端技術的10NANO級明年上市。過去,三星電子是以隨著美日企業(yè)大量生產兩國先開發(fā)的D-RAM和NANDFlash提高理論。不過2006年是首次推出NANOD-RAM,而且今年為止每年推出改善的產品,進而主導世界市場。是從“追隨型”轉為了“引領型”。
  
  半導體業(yè)界的習慣就是量產現(xiàn)代芯片之前開發(fā)下一代芯片。三星電子是開發(fā)了下下一代芯片,進而作為引領者占上風。今年由于D-RAM價格下降,日本和臺灣企業(yè)考慮減產時三星電子會長李建熙還鼓勵了攻擊性投資。昨天在活動現(xiàn)場,李會長表示:“要警戒半導體業(yè)界的強風。”圍繞P-RAM(IBM)、R-RAM(三星電子)、M-RAM(Hynix)等引領下一代的半導體,日后將有一場驚心動魄的戰(zhàn)爭。
  
  

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