科銳公司（納斯達(dá)克：CREE）日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國(guó)際微波研討會(huì)上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。與現(xiàn)有商用 GaAs MESFET 晶體管或基于行波管的放大器相比，該產(chǎn)品可大幅提高性能。
　
　　科銳無(wú)線射頻（RF） 總監(jiān) Jim Milligan 指出：“這是首款可為衛(wèi)星通信應(yīng)用提供全新高性能的 GaN MMIC 產(chǎn)品，因?yàn)槲覀兊?GaN HEMT 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)出色的線性效率與功率增益。我們預(yù)計(jì) GaN 產(chǎn)品不但將對(duì)熱管理技術(shù)產(chǎn)生巨大影響，還可使商用及軍用衛(wèi)星通信系統(tǒng)的尺寸更小、重量更輕。”
　
　　CMPA5585025F MMIC 采用多引腳陶瓷/金屬封裝 (1”x 0.38”) ，是一款 50 歐姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的雙級(jí) GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬時(shí)帶寬為 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特線性功率（<-30 dBc 的相鄰頻道功率) 與 20 dB 功率增益。在該線性運(yùn)行功率下，功率附加效率為 25%。
　
　　該器件采用小型封裝，可減小晶體管尺寸與重量，降低熱管理的成本，從而實(shí)現(xiàn)出色的線性效率（比傳統(tǒng)解決方案高 60%）。此外，該器件運(yùn)行時(shí)需要的工作電壓（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶體管還支持更低流耗，可降低功率分布損耗，實(shí)現(xiàn)更高的整體系統(tǒng)效率。
　
　　CMPA5585025F 現(xiàn)已開始提供樣片，并將于 2011 年夏天投入量產(chǎn)。如欲了解更多產(chǎn)品詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.cree.com/rf。