作為全球半導體行業在化學機械研磨（CMP）技術的領導者和創新者陶氏電子材料 (Dow Electronic Materials) (NYSE:DOW) 將在 SEMICON China 上展出其兩款最新的 VISIONPAD™研磨墊——VISIONPAD™ 6000和 VISIONPAD™ 5200。這兩款新研磨墊進一步拓展了陶氏在為客戶提供改進技術以實現在高端制程上研磨和在現有制程上提高生產力的應用特殊型解決方案方面的能力。VISIONPAD™ 6000 和 VISIONPAD™ 5200磨片滿足多數客戶的需求，目前已投入生產。
　
　　陶氏電子材料全球部門總經理 Sam Shoemaker 表示：“陶氏的 VISIONPAD™系列磨片為業界提供了專門用于當前和新一代產品生產的無與倫比的平臺。我們創新的研發工作推動了 VISIONPAD™平臺的發展，從而使我們能夠為特殊的化學機械研磨應用提供合適的研磨墊。這些 VISIONPAD™ 研磨墊性能較高，能夠降低消費成本。”
　
　　VISIONPAD™6000研磨墊具備尖端技術，專為減低層間電介質（ILD）和銅（Cu ）制程的缺陷率(Defectivity)以及減低碟形缺陷(Dishing)而研發。VISIONPAD™ 6000研磨墊采用低缺陷、低硬度聚合體化學材料制成，其孔洞大小也已得到優化，因而降低了缺陷率和碟形缺陷(Dishing)，并且其研磨速率(Remove Rate)已經超過了 IC1000™研磨墊。在客戶測試中，與 IC1000™磨片相比，VISIONPAD™ 6000研磨墊的刮痕瑕疵減少了50%- 60%，同時將碟形缺陷(Dishing)降低了35％而晶圓非均勻性則與其相當。
　
　　VISIONPAD™ 5200磨片提供可讓鎢（W）、層間電介質（ILD） 和銅(Cu)塊材料工藝實現較高研磨速率(Remove Rate)的新一代技術。VISIONPAD™ 5200研磨墊采用了獨特的聚合體化學材料制成，研磨墊孔隙率較高，可以將鎢（W）、層間電介質(ILD)  和銅(Cu) 制程的研磨速率(Remove Rate)提高10%-30%。研磨速率(Remove Rate)的提高使客戶能夠減少研磨時間和研磨液消耗，從而大幅降低耗材的化學機械研磨成本。同時，VISIONPAD™5200研磨墊產品還可將鎢（W）和銅(Cu) 的制程缺陷率降低10％至20％，并且以陶氏標準的IC1000™研磨墊產品為基準，還可減低鎢（W）制程中的碟形缺陷（Dishing）和腐蝕缺陷（Erosion）。
　
　　Shoemaker 總結說：“得益于我們的全球生產能力，我們不僅能夠開發 VISIONPAD™研磨墊等高級技術，而且還能實現批.0量交付，這也是陶氏與全球其他半導體制造商的主要不同之處。”
　
　　為提供最高品質和一致性，所有 VISIONPAD™產品均在陶氏位于臺灣、美國和日本的量產工廠采用嚴格的 SPC/SQC 方法生產。