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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開(kāi)發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。

Arm：AI時(shí)代芯片設(shè)計(jì)需要一場(chǎng)深度變革了！

Arm：AI時(shí)代芯片設(shè)計(jì)需要一場(chǎng)深度變革了！曾經(jīng)，摩爾定律是推動(dòng)芯片設(shè)計(jì)飛速變革的隱形推手，但如今隨著物理和經(jīng)濟(jì)極限的逼近，它已漸漸不再適用。尤其是隨著AI計(jì)算浪潮的崛起，芯片設(shè)計(jì)面臨著諸多挑戰(zhàn)，迫切需要一場(chǎng)全新的深度變革，從多個(gè)層次重構(gòu)，才能滿足當(dāng)下、適應(yīng)未來(lái)。

發(fā)表于：4/23/2025

SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB產(chǎn)品客戶驗(yàn)證

4 月 23 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功完成 CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證，是基于 CXL 2.0 標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 解決方案產(chǎn)品。

發(fā)表于：4/23/2025

復(fù)旦閃存新成果登Nature 突破閃存速度理論極限

史上最快的閃存器件，復(fù)旦團(tuán)隊(duì)造！其研發(fā)的皮秒閃存器件“破曉（PoX）”登上了Nature，擦寫(xiě)速度達(dá)到了亞納秒級(jí)，比現(xiàn)有速度快1萬(wàn)倍。并且數(shù)據(jù)不易丟失，按照實(shí)驗(yàn)外推結(jié)果，保存年限可達(dá)十年以上。

發(fā)表于：4/23/2025

IDC發(fā)布2024年Q4全球服務(wù)器追蹤報(bào)告

4月23日根據(jù)IDC的“全球季度服務(wù)器追蹤報(bào)告”，服務(wù)器市場(chǎng)在2024年第四季度創(chuàng)下了773億美元的收入紀(jì)錄。該季度是自2019年以來(lái)增長(zhǎng)率第二高的季度，供應(yīng)商收入同比增長(zhǎng)91%。其中，x86服務(wù)器在2024年第四季度的收入增長(zhǎng)了59.9%，達(dá)到548億美元。非x86服務(wù)器的收入同比增長(zhǎng)262.1%，達(dá)到225億美元。

發(fā)表于：4/23/2025

基于多尺度伸縮卷積與注意力機(jī)制的光伏組件缺陷分割算法

無(wú)人機(jī)在光伏系統(tǒng)的巡檢過(guò)程中需要對(duì)光伏組件的缺陷進(jìn)行準(zhǔn)確和快速識(shí)別，為此提出了一種基于多尺度伸縮卷積與注意力機(jī)制的光伏組件缺陷分割網(wǎng)絡(luò)。首先在傳統(tǒng)的U-Net網(wǎng)絡(luò)每個(gè)Stage加入多尺度伸縮卷積模塊，從而對(duì)光伏組件缺陷進(jìn)行分割，PA達(dá)到了98.61%，與傳統(tǒng)U-Net、FCN網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行對(duì)比分析，準(zhǔn)確率分別提高了0.32%和1.17%，算法消耗時(shí)間0.054 s，相較于對(duì)比的分割算法提高了0.006 s~0.013 s；然后將分割后的缺陷掩碼mask和原圖進(jìn)行與操作，最后通過(guò)輕量級(jí)網(wǎng)絡(luò)MobileNetV3對(duì)光伏組件缺陷（熱斑、裂縫、鳥(niǎo)糞）進(jìn)行檢測(cè)并分類，精確率達(dá)到了98.82%，與SqueezeNet、ShuffleNet V2和GhostNet網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行對(duì)比，分別提高了0.43%、1.08%和0.8%，平均檢測(cè)時(shí)間0.026 s，相較于對(duì)比的檢測(cè)算法提高了0.002 s~0.036 s。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明基于多尺度伸縮卷積與注意力機(jī)制的光伏組件缺陷分割網(wǎng)絡(luò)具有較高的準(zhǔn)確率和識(shí)別速率。

發(fā)表于：4/22/2025

前十占九！“中國(guó)機(jī)構(gòu)正在主導(dǎo)全球芯片研究”

美國(guó)不斷加強(qiáng)對(duì)華芯片出口限制，試圖遏制中國(guó)獲取先進(jìn)半導(dǎo)體。但美國(guó)最新研究顯示，中國(guó)研究人員已加緊努力，進(jìn)行大量的基礎(chǔ)研究，目前在芯片設(shè)計(jì)和制造研究領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位。

發(fā)表于：4/22/2025

互聯(lián)網(wǎng)大廠算力荒智算中心卻在賣卡求生

“能流暢跑70B模型的國(guó)產(chǎn)GPU有推薦的嗎？”在一個(gè)算力交流群里，一位從業(yè)者問(wèn)。不少回復(fù)打趣道：“48GB顯存的4090。” 48GB顯存的4090顯卡并非英偉達(dá)推出的官方版本，而是國(guó)內(nèi)特有的魔改版，專為滿足推理算力需求。該版本在市場(chǎng)上大量流通，價(jià)格近乎翻倍，目前在京東商城里，其售價(jià)在2-4萬(wàn)元不等。

發(fā)表于：4/22/2025

高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

光纖激光器波長(zhǎng)和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅(qū)動(dòng)電流波動(dòng)的影響，為應(yīng)對(duì)該問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負(fù)反饋原理，通過(guò)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）來(lái)控制恒流輸出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體激光器（LD）驅(qū)動(dòng)電流的精準(zhǔn)控制；限流保護(hù)電路利用二極管的限幅作用使LD免受過(guò)電流沖擊的影響，電流緩慢啟動(dòng)采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測(cè)電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準(zhǔn)探測(cè)到功率輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流在0~1.2 A連續(xù)可調(diào)，電流短期（120 min）和長(zhǎng)期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長(zhǎng)波動(dòng)不超過(guò)±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過(guò)0.084 3%，精度小于±0.15 mW。

發(fā)表于：4/21/2025

T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究

對(duì)Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機(jī)理與影響因素進(jìn)行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點(diǎn)，進(jìn)行了對(duì)應(yīng)的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對(duì)器件抗靜電能力的影響并進(jìn)行相關(guān)機(jī)理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。

發(fā)表于：4/21/2025

器件級(jí)帶電器件模型靜電放電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分析及應(yīng)用

針對(duì)器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電國(guó)內(nèi)外主要測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了整理、分析與解讀。梳理了各標(biāo)準(zhǔn)之間的差異性和關(guān)聯(lián)性，明確了各標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點(diǎn)。深入研究了影響器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電測(cè)試結(jié)果的因素與控制方法，提出了在標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用過(guò)程中保障結(jié)果一致性和準(zhǔn)確性的相關(guān)技術(shù)技巧，為器件級(jí)帶電器件模型（CDM）測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇、測(cè)試和工程應(yīng)用提供了指導(dǎo)。

發(fā)表于：4/21/2025