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解決方案

功率場效應晶體管(MOSFET)原理[模擬設計][消費電子]

功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。

發表于：8/17/2016 4:24:00 PM

單結晶體管的工作原理與伏安特性電路圖[模擬設計][消費電子]

單結晶體管具有負租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。

發表于：8/17/2016 4:11:00 PM

光敏二極管和光敏晶體管結構原理[模擬設計][消費電子]

?光敏二極管的結構與一般二極管相似。它裝在透明玻璃外殼中, 其PN結裝在管的頂部, 可以直接受到光照射。光敏二極管在電路中一般是處于反向工作狀態（見圖8-6所示）, 在沒有光照射時, 反向電阻很大, 反向電流很小, 這反向電流稱為暗電流。當光照射在PN結上時, 光子打在PN結附近, 使PN結附近產生光生電子和光生空穴對。它們在PN結處的內電場作用下作定向運動, 形成光電流。光的照度越大, 光電流越大。因此光敏二極管在不受光照射時, 處于截止狀態, 受光照射時, 處于導通狀態。

發表于：8/17/2016 4:03:00 PM

絕緣柵雙極晶體管原理、特點及參數[模擬設計][消費電子]

絕緣柵雙極晶體管原理、特點及參數絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。

發表于：8/17/2016 3:49:00 PM

程控單結晶體管(PUT)應用及原理[模擬設計][消費電子]

程控單結晶體管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又稱可編程單結晶體管或可調單結晶體管，程控單結晶體管實質上是一個N極門控晶閘管的功能，但因它與單結晶體管的用途相近，故納入單結管之列。它與單結晶體管也有重工區別。單結管一經制成，從外部就無法改變rB1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等參數值，加之工藝的離散性導致同類單結管的ηV值總會存在一定的偏差，這就給用記帶來不便。程控單結晶體管圓滿解決了上述問題，它是用外部電阻R1、R2取代內基極電阻rB1、rB2，只需改變二者的電阻比，即可從外部調整其參數值。正是由于PUT器件使用靈活，用途廣泛，因此頗受使用者歡迎。

發表于：8/17/2016 3:40:00 PM

“簡潔至上”的晶體管甲類音頻功率放大器[模擬設計][消費電子]

　Hi－Fi界有一句至理名言，就是“簡潔至上”。這就是說，假如能用一個元件或器件做成的電路，就盡量不用兩個。電子電路中常用的電子元件有電阻、電容、電感等，常用的電子器件有二極管、三極管及集成電路等。電阻、電容都屬于線性元件，在放大電路中可以認為不會因它們而產生非線性失真。但是，目前用于放大的電子器件，不論是電子管、晶體管，還是集成電路，統統都是非線性器件，它們是放大電路中產生非線性失真的根源。因此，在放大電路中應盡量少用管子。要做到這一點也并非容易，所以通常所見到的放大電路都比較復雜。要想“簡潔”，必須解決兩個問題：一是放大倍數要足夠大，至少應該在接CD機時能夠達到額定的輸出功率；二是非線性失真要盡量小些，在不加負反饋或只加少量的負反饋時，諧波失真系數能夠達到Hi－Fi要求。

發表于：8/17/2016 3:18:00 PM

22納米3D晶體管技術[模擬設計][消費電子]

　Intel在微處理器晶體管設計上取得重大突破，沿用50多年的傳統硅晶體管將實現3D架構，一款名為Tri-Gate的晶體管技術得到實現。

發表于：8/17/2016 3:16:00 PM

5納米制程技術挑戰重重成本之高超乎想象[模擬設計][消費電子]

半導體業自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術（DP）。再進一步發展至16/14納米時，大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級，加上193i的光學技術延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術（FP），這已引起全球業界的關注。

發表于：8/16/2016 9:13:00 PM

基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC[模擬設計][消費電子]

氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被構造成具有集成柵極驅動器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。

發表于：8/16/2016 8:59:00 PM

芯片里面有幾千萬的晶體管是怎么實現的？[模擬設計][消費電子]

1. 當前CPU上的晶體管已經遠遠不是千萬級別的概念，而是數個billion。 2. 目前最先進的制程工藝是Intel 剛剛公布的14nm工藝，Fin Pitch小于 50nm，可以說是技術上的一個飛躍了。關于所謂的14nm，實際只能初略的反映工藝的一個技術節點，真正的溝道長度要比14nm要長一些。

發表于：8/16/2016 8:50:00 PM

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