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氮化鎵功率技術大熱 Transphorm創新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
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今年是氮化鎵發展非常重要一年
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瑞能半導體有限公司正式開業
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“助攻”電源設計 900V SiC MOSFET導通電阻創新低
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碳化硅（SiC）會是功率器件的終極選擇嗎?
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世界首家※！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET 導通電阻大大降低，有助于工業設備等大功率設備的小型化與低功耗化
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英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）
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法半導體 (ST) 通過CMP為原型設計廠商提供先進的BCD8sP智能功率技術
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意法半導體(ST)公布2014年第四季度和2015年第一季度分紅方案
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意法半導體(ST)公布2014上半年IFRS財報
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意法半導體(ST) 2014年第二季度凈收入扭虧為贏
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三菱電機在PCIM亞洲展亮相的六款新品大受觀眾青睞
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安捷倫率先推出適用于功率電路設計的功率器件分析儀
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IntersilISL8225M雙15A,單30A電流輸出穩壓器參考設計方案
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富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產品
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意法半導體（ST）推出更加經久耐用的EEPROM，實現更簡單耐用的系統
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歐洲項目推動功率微電子未來
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如何解決驅動單元設計中的電磁兼容問題
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高效率、低應力、低污染、低輸出紋波通信開關電源研制
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PIM晶閘管功率組件的應用
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80kva/400a大功率變流器系統H橋低感疊層母線排設計
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意法半導體（ST）公布新戰略計劃
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來自瑞薩電子的日本羽毛球女子雙打選手贏得 2012中國羽毛球公開賽女雙亞軍
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富士通半導體明年計劃量產氮化鎵功率器件 滿足高效電源單元供應市場需求
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Teledyne LeCroy推出為高清晰度示波器 HDO4000/6000系列定制的電源分析軟件包
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吉時利將晶體管圖示儀的量程和簡化性與參數分析儀精度和靈活性完美結合
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安森美半導體加入imec的硅基氮化鎵研究項目
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科銳推出150毫米 4H N型碳化硅外延片
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瑞薩電子第七代650V和1250V IGBT建立了一個新的技術標準
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科銳發布 Verilog-A 無線射頻器件模型，加速 GaN 在 4G/LTE 電信基礎設施領域的采用
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