微波射頻相關文章 Cibby Pulikkaseril：無用之功？自動駕駛激光雷達現狀 第二屆“光”+智能駕駛技術高峰論壇于2019年9月6日舉辦，本次論壇邀請了政府部門、咨詢機構、整車企業、激光雷達制造商、紅外夜視、攝像頭等傳感器重點企業及知名科研院所等到會研討，共話光與汽車電子行業市場前景。以下為Cibby Pulikkaseril首席技術官兼聯合創始人 Baraja現場演講實錄： 發表于：9/7/2019 Velodyne Lidar發布傳感器Puck 32MR? 為自動駕駛汽車提供高分辨率實時激光雷達 據外媒報道，Velodyne Lidar, Inc.推出了Puck 32MR?傳感器，為低速自動駕駛市場提供高成本效益的感知解決方案，包括工業車輛、機器人、航天飛機以及無人機。該激光雷達傳感去可為中端應用提供豐富的感知數據。 發表于：8/17/2019 TriLumina完成半導體激光器測試 可在零下40到125攝氏度的溫度下運行 據外媒報道，汽車、消費和工業ToF（飛行時間）與3D傳感應用VCSEL技術（垂直腔面發射激光器）開發商 TriLumina宣布完成了AEC-Q102 1級操作所需的所有測試，意味著其半導體激光器可以在零下40到125攝氏度的溫度下可靠運行。 發表于：8/17/2019 俄羅斯首款重型攻擊無人機完成了試飛與著陸 公告說，名為“獵人”的重型長航時攻擊無人機于莫斯科時間3日12時20分（北京時間3日17時20分）在國防部下屬某試飛機場開始首飛。飛行持續了20多分鐘。無人機在操作員的控制下以600米高度圍繞機場飛行數周，隨后完成了著陸。 發表于：8/16/2019 氮化鎵半導體材料在5G時代的應用前景 氮化鎵，分子式為GaN，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 發表于：8/11/2019 氮化鎵在射頻領域的優勢盤點 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。 發表于：8/11/2019 射頻氮化鎵市場前景分析 據麥姆斯咨詢介紹，近年來，GaN憑借高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積，被射頻行業大量應用。在電信基礎設施和國防兩大主要市場的推動下，預計到2024年RF GaN整體市場規模將增長至20億美元。 發表于：8/11/2019 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展 專利之爭全面開啟 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出，RF GaN產業于2017~2023年間的年復合增長率達到23%。隨著工業不斷地發展，截至2017年底，RF GaN市場產值已經接近3.8億美元，2023年將達到13億美元以上。 發表于：8/11/2019 RF GaN市場蓬勃發展的關鍵是什么？ 據麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產業經歷了驚人的高增長。根據Yole最近發布的《射頻氮化鎵技術、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎設施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規模到2024年預計將增長至20億美元。 發表于：8/11/2019 《射頻（RF）氮化鎵技術及廠商專利全景分析-2019版》 近年來，RF GaN市場的發展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的產業格局。在電信和國防應用的推動下，RF GaN行業將持續增長，而隨著5G應用的到來，RF GaN市場將加速發展。據麥姆斯咨詢介紹，RF GaN市場總規模預計將從2017年的3.8億美元到2023年增長到13億美元。 發表于：8/11/2019 一文知道RF GaN市場蓬勃發展的關鍵 據麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產業經歷了驚人的高增長。根據Yole最近發布的《射頻氮化鎵技術、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎設施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規模到2024年預計將增長至20億美元。 發表于：8/11/2019 華裔科學家：領銜全球首個實時解碼大腦信號項目 馬斯克的腦機接口新突破公布沒多久，Facebook的腦機革命又邁出重要一步。Facebook與加利福尼亞大學舊金山分校華裔教授團隊合作，已打造一個腦機接口，可以實時從大腦信號解碼問答對話。這是全球首個實時解碼大腦信號的問答語音的項目，或可用到增強現實眼鏡中。 發表于：8/2/2019 基于MOCVD生長材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管 為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優化設計了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結構，在國內首次采用MOCVD設備在半絕緣InP單晶片上生長了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測試了器件的電學特性： 峰值電流密度＞400 kA/cm2， 峰谷電流比(PVCR)＞2.4。 發表于：8/1/2019 基于VO2相變特性的THz波動態調控研究進展 太赫茲(Terahertz，THz)波位于光子學向電子學的過渡區域，在高速寬帶通信、雷達、成像等領域具有重要應用前景。但目前用于THz波動態調控的器件仍比較缺乏，這在一定程度上限制了THz技術的發展。VO2具有獨特的金屬—絕緣體相變特性，相變過程可以應用于動態調控THz波傳輸。探索超材料與VO2結合以制備高效、動態、靈活的太赫茲功能器件也是近來的研究熱點。簡述了VO2的相變特性，并分析了微觀結構和化學成分等因素對相變特性的影響；系統回顧了VO2薄膜相變過程中的THz波調控性能研究進展，總結了VO2與超材料不同結合方式在THz波動態調控方面的應用；并對基于VO2相變特性的THz波調控功能器件發展前景與挑戰進行了展望。 發表于：7/31/2019 太赫茲固態放大器研究進展 隨著半導體技術的發展，晶體管特征頻率不斷提高，已經進入到太赫茲（THz）頻段，使得固態器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號進行放大，在THz系統中起著關鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP異質結雙極晶體管/雙異質結雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進展。 發表于：7/31/2019 ?…32333435363738394041…?
