| 基于功耗限制的CMOS低噪聲放大器最優(yōu)化設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：參考設(shè)計(jì) | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：169 K | |
| 標(biāo)簽： RF|微波 | |
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| 文檔介紹：分析了進(jìn)行功耗限制條件下怎樣得到低噪聲放大器的最優(yōu)噪聲，并就阻抗匹配及小信號(hào)電壓增益進(jìn)行了詳細(xì)討論。介紹了采用0.25um CMOS工藝設(shè)計(jì)的工作在2.4GHz頻率下的全集成低噪聲放大器。模擬結(jié)果表明，在2.4GHz工作頻率下，低噪聲放大器的功耗為16mW，正向增益S21可達(dá)15dB，反射參數(shù)S11、S22分別小于-23dB和-20dB，噪聲系數(shù)NF為2.7dB，三階互調(diào)點(diǎn)IIP3為-0.5dB。 | |
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