業(yè)界動態(tài) 經(jīng)緯信安多項產(chǎn)品通過CNNVD資質(zhì)證書認證 近日，經(jīng)緯信安旗下三款網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品通過了國家信息安全漏洞庫（CNNVD）兼容性認證測試，榮獲了由中國信息安全測評中心頒發(fā)的國家信息安全漏洞庫兼容性資質(zhì)證書。 三款產(chǎn)品分別為：戍將攻擊誘捕平臺、緯將擴展檢測響應(yīng)平臺和見未形風險評估系統(tǒng)。 發(fā)表于：1/20/2025 4:58:12 PM 我國專家成功當選國際電工委員會核儀器儀表技術(shù)委員會主席 1 月 20 日消息，據(jù)央視新聞今日援引國家標準委消息，經(jīng)國際電工委員會（IEC）相關(guān)技術(shù)委員會及 IEC 標準化管理局兩輪投票選舉，近日，來自我國中核集團的專家肖晨當選國際電工委員會核儀器儀表技術(shù)委員會（IEC / TC 45）主席。 發(fā)表于：1/20/2025 3:02:14 PM 力積電將攜手臺積電開發(fā)六層晶圓堆疊技術(shù) 1月20日消息，業(yè)內(nèi)傳聞顯示，晶圓代工廠商力積電在AI制程關(guān)鍵中介層技術(shù)方面獲得了臺積電認證，將協(xié)同臺積電打入英偉達、AMD等AI巨頭供應(yīng)鏈，并攜手臺積電完成開發(fā)四層晶圓堆疊（WoW）技術(shù)，現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊，技術(shù)比三星更強，有望抓住AI商機，推動業(yè)績增長。 發(fā)表于：1/20/2025 1:01:15 PM 傳臺積電將再建兩座CoWoS先進封裝廠 1月20日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道稱，為應(yīng)對旺盛的CoWoS先進封裝產(chǎn)能需求，傳聞臺積電計劃在南科三期再蓋兩座CoWoS新廠，投資金額估逾新臺幣2,000億元。如果再加上臺積電正在嘉科園區(qū)建設(shè)的CoWoS新廠，業(yè)界預(yù)期，臺積電短期內(nèi)總計將擴充八座CoWoS廠，其中，南科至少有六座，以實際擴產(chǎn)行動回應(yīng)此前的CoWoS砍單傳聞。 發(fā)表于：1/20/2025 11:37:16 AM 美國商務(wù)部宣布投資14億美元支持四個先進封裝項目 當?shù)貢r間1月17日消息，美國商務(wù)部宣布，“芯片法案”國家先進封裝制造計劃 （NAPMP） 已敲定 14 億美元的獎勵資金，以加強美國在先進封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并使新技術(shù)得到驗證并大規(guī)模過渡到美國制造。這些獎項將有助于建立一個自給自足、大批量的國內(nèi)先進封裝行業(yè)，其中先進節(jié)點芯片在美國制造和封裝。 發(fā)表于：1/20/2025 11:26:06 AM SK海力士有望2月啟動業(yè)界最先進1c nm制程DRAM量產(chǎn) 1 月 17 日消息，韓媒 MT（注：全稱 MoneyToday）當?shù)貢r間今日報道稱，SK 海力士近日已成功完成內(nèi)存業(yè)界最先進 1c 納米制程 DRAM 的批量產(chǎn)品認證，連續(xù)多個以 25 塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達到要求。 SK 海力士有望在完成量產(chǎn)交接手續(xù)后于 2 月初正式啟動 1c 納米 DRAM 量產(chǎn)。 發(fā)表于：1/20/2025 11:15:12 AM 臺積電確認已在美國大規(guī)模生產(chǎn)4nm芯片 1 月 18 日消息，據(jù)外媒 Tom's Hardware 報道，臺積電確認其美國亞利桑那州的 Fab 21 晶圓廠在 2024 年第四季度已開始進入大批量生產(chǎn) 4nm 工藝（N4P）工藝芯片。 發(fā)表于：1/20/2025 11:06:13 AM 全國首條AMOLED用第8.6代金屬掩膜版生產(chǎn)線開建 1 月 19 日消息，據(jù)“湖北工信”消息，1 月 13 日，第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線項目在黃石經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)開工?，F(xiàn)場，中國科學院院士歐陽鐘燦介紹，作為全球首批、全國首條第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線，項目將填補國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈空白。 發(fā)表于：1/20/2025 10:55:44 AM 中科星圖低空云正式發(fā)布 1 月 20 日消息，中科星圖股份有限公司昨日轉(zhuǎn)發(fā)央視新聞報道，我國低空場景下的綜合性服務(wù)平臺“星圖低空云”已于 1 月 18 日正式發(fā)布，可為低空飛行器的精細化空域管理及安全飛行服務(wù)保障提供支撐。 發(fā)表于：1/20/2025 10:45:10 AM 射頻前端芯片研發(fā)投入分析 在當今的通信技術(shù)領(lǐng)域，射頻前端設(shè)計至關(guān)重要，它是實現(xiàn)無線信號收發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其性能直接影響著通信設(shè)備的質(zhì)量和用戶體驗。射頻前端設(shè)計公司由于產(chǎn)品具有技術(shù)密集、更新?lián)Q代快等特性，需要持續(xù)的高研發(fā)投入來保持競爭力。 射頻前端芯片產(chǎn)品涉及多種復(fù)雜技術(shù)，如濾波器、功率放大器、低噪聲放大器等的設(shè)計與制造工藝。這些技術(shù)不僅要滿足不斷提升的通信標準，如從4G 到 5G 乃至未來 6G 的演進，還要適應(yīng)各類終端設(shè)備小型化、多功能化的需求。每一次技術(shù)的升級和應(yīng)用場景的拓展，都要求對產(chǎn)品進行重新設(shè)計和優(yōu)化，需要不斷投入開發(fā)新的芯片設(shè)計方案以滿足變化的市場需求，這無疑需要大量的研發(fā)資源投入。 發(fā)表于：1/20/2025 10:36:19 AM ?…278279280281282283284285286287…?
