頭條 “網絡安全”再次成為眾多兩會代表提案的關鍵詞 今年的兩會已落下帷幕，“沒有網絡安全就沒有國家安全”，“網絡安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關鍵詞。隨著網絡的飛速發展，網絡信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。 下面就一起看看對于解決所面臨的網絡安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 意法半導體推出新款柵極驅動器 2025 年 6 月 23 日，中國——意法半導體推出新一代集成化柵極驅動器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無刷電機，提高消費電子和工業設備的性能、能效和經濟性。 發表于：6/24/2025 消息稱首款UALink規范高速互聯芯片最早可能今年底實現流片 6 月 24 日消息，臺媒《電子時報》本月 20 日根據市場傳聞報道稱，首款支持 UALink 規范高速互聯芯片最早可能今年底實現流片，而整個 UALink 陣營目前有數十個在研項目，預計 2026 年將有更多產品加入。 英偉達雖然以 NVLink Fusion IP 授權的形式對第三方部分開放了 NVLink 機架級架構互聯技術但仍設有嚴格限制，僅支持半定制化 / 半自定義模式： 發表于：6/24/2025 消息稱臺積電為蘋果建2nm專用產線 6 月 24 日消息，蘋果公司計劃在 2026 年推出的 iPhone 18 系列中采用臺積電的下一代 2 納米制程工藝，并結合先進的 WMCM（晶圓級多芯片模塊）封裝方法。臺積電作為全球領先的純晶圓代工廠，已為蘋果建立了一條專用生產線，預計于 2026 年實現量產。 發表于：6/24/2025 DDR4現貨價首次超越同規格DDR5一倍 6月24日消息，據臺媒《經濟日報》報道，由于供應減少，DDR4現貨價持續飆漲，短短兩周內上漲了約50%，二季度以來漲幅超兩倍，而23日DDR4 16Gb芯片甚至出現報價比同樣為16Gb容量的DDR5貴約一倍的情況，這也是DRAM史上首次上一代產品報價竟比最新規格高100%。 在今年5月中下旬時，DDR4報價開始快速上漲，但報價仍低于DDR5，直到6月初出現DDR4現貨價超越DDR5的“報價倒掛”行情，市場追價買盤更顯火熱。而從同樣容量的DDR4現貨價追上DDR5，到現在DDR4報價比DDR5貴一倍，也僅花了短短約兩周的時間，“市場瘋狂程度可見一斑”。 發表于：6/24/2025 英特爾再次因財務問題推遲俄亥俄州晶圓廠 6月23日消息，據外媒 NBC4i 報道稱，由于財務問題，英特爾已經多次推遲了其在俄亥俄州晶圓廠（曾被稱為 Silicon Heartland）的建設和設備采購，現在的量產時間表已經推遲到了2031年，但這將使得英特爾的供應商——美國電力 （AEP） 在俄亥俄州的變電站將持續閑置。 發表于：6/24/2025 礪算科技回應6nm GPU測試成績拉胯指責 近日，Geekbench數據庫當中出現了據稱是礪算科技最新6nm GPU G100的參數信息和OpenCL測試數據，顯示其性能與英偉達RTX 4060差距巨大，這與之前傳聞的G100可以對標RTX 4060的說法不符。對此，礪算科技今天中午發布澄清函回應稱，該數據（包括硬件參數及測試數據）不實。GL4.6和OpenCL 3.0等。 發表于：6/24/2025 國際星閃聯盟預計2025年芯片出貨量將突破1億大關 6 月 23 日消息，華為開發者大會（HDC 2025）于上周在東莞松山湖舉辦。星閃專題論壇以“打造全場景新體驗，星閃開放能力繁榮鴻蒙生態”為核心，匯聚了百余名行業專家、開發者及生態合作伙伴，圍繞星閃技術在智能終端、汽車、音頻、定位等多場景的應用展開深入探討。 發表于：6/24/2025 曝三星1.4nm推遲至2028年 6月24日消息，據媒體報道，三星原定于今年第二季度動工的1.4nm測試線建設計劃已被推遲，預計投資將延后至今年年底或最早明年上半年。 發表于：6/24/2025 Techinsights確認華為麒麟處理器最好工藝依然是7nm 6月24日消息，知名半導體行業觀察機構TechInsights完成了對麒麟X90的探索性分析，確認該處理器依然采用7nm（N+2）制程工藝，并非傳言中的5nm。 麒麟X90由華為MateBook Fold折疊屏鴻蒙電腦搭載，該筆記本于2025年5月推出，搭載自研麒麟X90處理器和自研鴻蒙5操作系統，引發廣泛關注。 發表于：6/24/2025 富士通2nm CPU仍交由臺積電代工 6月24日消息，據日經新聞報道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發2nm CPU “MONAKA”，預計將交由臺積電代工生產。不過，富士通也表示，日本初創晶圓代工企業Rapidus 對于確保供應鏈穩定性來說非常有用。 據了解，富士通Monaka是一款面向數據中心的處理器，采用基于臺積電的CoWoS-L封裝技術的博通3.5D XDSiP技術平臺，擁有36個計算小芯片。其中主要的CPU計算核心基于Armv9指令集，擁有144個CPU內核，采用臺積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合 （HCB） 以面對面 （F2F） 方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺積電的5nm工藝制造的。計算和緩存堆棧伴隨著一個相對巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴展器，以及人們期望從數據中心級 CPU 獲得的其他接口。 發表于：6/24/2025 ?…31323334353637383940…?
