《電子技術應用》
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高壓MOS/IGBT的短路保護電路
摘要: 發(fā)個個人多年來從事高壓脈沖電源的工作的一點經驗總結。
Abstract:
Key words :

發(fā)個個人多年來從事高壓脈沖電源的工作的一點經驗總結。

電路如上:

短路保護鎖定的驅動的3腳為短路信號檢測入端;2腳為驅動地;1腳為驅動輸出。

當電路存在短路的時候流過MOS的電流很大在S極電阻兩端產生的壓降導致三極管由截止進入導通(當然導到什么程度具體跟MOS的跨導有關系),因此驅動電阻上面有壓降,MOS進入放大區(qū)。這個時候高電壓不會通過MOS進行強電流放電,因而芯片不會有局部過熱的可能,在很短的時間內保護電路檢測到短路存在關閉并鎖定驅動電壓輸出,MOS僅承受了動作時間內的恒流功率損耗,安全性得到了很大提高。

此電路僅作為理解原理使用具體參數看實際工況選取。

S級的電阻是根據你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導這個不是主要因數;這里三極管并不工作在開關狀態(tài)他只是根據MOS的瞬態(tài)電流值調整MOS的驅動電壓,保證在短路出現的時候IDM不至于超出安全工作范圍,這個時候由于在1US甚至更短的時間內驅動已經被關斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時間越快越好.其實這個電路是電流負反饋電路演變過來的.電路如下:

 

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