碳化硅功率器件領域的市場領先者 Cree 公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出最新Z-Rec™650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數(shù)據中心電源架構修改的要求。據行業(yè)咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達 5% 。由于數(shù)據中心的耗電量幾乎占全球年耗電量的 10%，任何水平的能效提升都會有助于大幅降低總體能耗。
　
　　常規(guī)開關電源一般輸入電壓范圍為 90V~264V，可以支持世界各地的各種交流輸入電源?，F(xiàn)有的數(shù)據中心電源架構一般采用本地供電單位提供的三相/480V電源。三相/480V電源經電力變壓器降壓為三相/208V 電源，并經進一步處理后作為服務器電源的輸入電源。由于變壓器的損耗，這種做法會降低總效率。
　
　　近期數(shù)據中心電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢要求取消 480V 到 208V 的降壓過程，以提高數(shù)據中心的總效率。現(xiàn)在服務器電源有望直接從三相/480V 相電壓獲得90V~305V更寬泛的通用線電壓（277V+10% 的安全范圍），而不再從三相/208V相電壓獲得 120V 交流電壓。這種架構無需使用降壓變壓器，也就避免了相關的能耗及成本支出。
  　
　　要讓具有 90V~305V寬泛輸入電壓范圍的服務器電源系統(tǒng)理想運行，就要求像肖特基二極管這樣的功率器件具有高至 650V 的最大阻斷電壓。Cree 最新推出的 650V 額定器件為設計人員設計先進的數(shù)據中心和通信設備電源系統(tǒng)時提供了理想的解決方案。Cree的新款 Z-Rec 碳化硅二極管不僅提供了這些先進電源系統(tǒng)需要的 650V 阻斷電壓，而且與硅器件相比還能夠消除反向恢復損耗，進一步降低能耗。
　
　　Cree 電源與射頻部副總裁兼總經理 Cengiz Balkas 解釋說：“碳化硅技術對開發(fā)新一代先進的高能效數(shù)據中心電源系統(tǒng)設計至關重要，因為它基本上消除了二極管的開關損耗。眾所周知，開關損耗是導致傳統(tǒng)硅器件低能效的主要原因，因此采用碳化硅器件取代硅器件可以將電源的功率因數(shù)校正級的效率提升 2 個百分點，從而與單純的架構修改相比，能夠帶來更大的總效率提升。”
　
　　C3DXX065A 系列是 650V Z-Rec 肖特基二極管系列的首批產品，提供 4A、6 A、8 A 和10 A四種規(guī)格，均采用 TO-220-2 封裝。所有器件的額定工作溫度范圍為 -55°C ~ +175°C。
　
　　C3DXX065A 系列器件已經通過全面認證并正式交付生產。有關 Cree 650V Z-Rec 器件或 Cree 其他 600V、1200V 和 1700V 二極管的樣品及詳細介紹，敬請訪問下列網址：www.cree.com/power。