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宏力半導體0.13微米嵌入式閃存成功量產

2010-09-25
作者:宏力半導體

  中國上海,2010年9月10日——上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體),專注于差異化技術的半導體制造業領先企業之一,宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個產品已成功進入量產階段。
 
  宏力半導體的0.13微米嵌入式閃存制程結合了其基于SST SuperFlash®(1)上已經量產的自對準分柵閃存技術和自身的0.13微米邏輯技術。閃存單元尺寸只有0.38平方微米,是目前0.13微米技術節點上最小的單元尺寸,其卓越的性能還能支持最大到16Mbit的SoC設計,在業內十分具有競爭力。
 
  這一最小的單元同時還滿足了編程效率高和無過度擦除的需求,能讓系統設計師設計出更具競爭優勢的嵌入式閃存單元。此新技術還具有極高的耐擦寫能力和數據保持特性,可重復擦寫10萬次,數據可保留100年。
 
  宏力半導體的0.13微米嵌入式閃存制程為客戶提供了兩種解決方案。Dual-gate特別適合SIM card的客戶,由于其光罩層數少,模塊尺寸小等優勢,在市場上已經成為性價比最高的解決方案。而Triple-gate適用于通用和低壓產品,應用范圍廣泛,包括MCU、U盤、智能卡以及汽車電子市場。
 
  宏力半導體經過大量生產驗證的0.13微米嵌入式閃存制程與其0.13微米通用和低壓邏輯制程完全匹配,因此易于遷移。對客戶而言,良好的兼容特性保證了現有的標準單元庫和IP能夠與新制程無縫銜接。
 
   “自2008年起,宏力半導體已經生產了成千上萬片0.18微米的嵌入式閃存晶圓,極小的單元尺寸和極少的光罩數,在業內極具優勢,也讓宏力半導體宏力迅速在智能卡市場占據了份額。與此同時,我們還始終保持著95%以上的良率,因而贏得了客戶對我們的信賴。” 宏力半導體銷售市場服務單位資深副總衛彼得博士表示,“宏力半導體將于今年年底完成基于0.13微米節點的單元縮小的研發工作,這個全新且極具競爭力的嵌入式閃存制程將針對高容量的產品應用。”
 
  (1) SuperFlasch® technology is licensed from Silicon Storage Technology, Incorporated (“SST”). SuperFlash® is a registered trademark of SST.
  
關于宏力
  宏力半導體是一家專業半導體代工廠,致力于提供高品質服務和先進增值技術,包括嵌入式非揮發性記憶體、高壓、低漏電工藝等。公司于2003年投產,一直是業內成長最快的公司之一。公司位于上海浦東張江高科技園區,員工超過1,700人。上海聯和投資有限公司、香港長江實業及和記黃埔是宏力半導體的主要投資方。其他主要投資方還包括美國超捷,日本三洋,及私募資金湛思國際和UCL Asia。
 

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