以降低電動汽車等電動設(shè)備的運營成本和環(huán)境影響為目標(biāo)，電源管理應(yīng)用的領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。 ?

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新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無裸晶片封裝的" title="封裝的">封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III 制程，典型導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻">導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括：開關(guān)損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時，封裝的額定功率為300W。?

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新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設(shè)計多個并聯(lián)的MOSFET，達到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動閾壓還有助于簡化驅(qū)動電路的設(shè)計。STV250N55F3適用于高達55V的電力設(shè)備。 ?

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高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強電流電力牽引設(shè)備，如叉車、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車以及割草機、電動輪椅和電動自行車。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過100%的雪崩測試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達到汽車級產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。?

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在同一個產(chǎn)品系列，ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產(chǎn)品，該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A，源極連線配置為4線。?

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STV250N55F3樣片即刻上市銷售，預(yù)計2008年第三季度開始量產(chǎn)。?

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關(guān)于意法半導(dǎo)體" title="意法半導(dǎo)體">意法半導(dǎo)體（ST）?

意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，ST的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所" title="股票交易所">股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網(wǎng)站 www.st.com 或 ST中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn?