【2025年5月16日, 德國慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉換為較低的總線電壓，這對于AI數據中心的能效、功率密度和散熱性能愈發重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領先處理器制造商AI服務器平臺的 IBC級。應用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當于每kW負載節省約4.3 W。如果能擴展到系統層面，如服務器機架或整個數據中心，則將帶來顯著的節能效果。例如在一個擁有2,000個機架的超大規模數據中心推廣該方案，每小時可節能1.2 MWh以上，這相當于為25輛小型電動汽車充電所需的能量。該方案能夠為數據中心運營商節約成本和減少碳足跡，具有顯著的效益。

由于AI計算需求不斷增長，市場對高效功率管理解決方案的需求也將隨之上升。英飛凌的 OptiMOS? 6 80V 可滿足日益增長的能效需求，提供適用于AI服務器 IBC的高性能解決方案。該MOSFET 采用 5x6 mm2 DSC 封裝，在硬開關拓撲中擁有更好的開關性能，且通過降低導通損耗提高了能效。此外，這種緊湊型封裝可實現雙面散熱，有助于改善熱管理和提高功率密度，這對于空間有限的AI服務器環境至關重要。 

英飛凌擁有廣泛的硅基功率MOSFET產品組合，其中的OptiMOS?  6 80V專為滿足AI服務器應用對性能、效率和集成度日益增長的需求而設計。該產品組合采用最新的MOSFET 技術，并根據不同用途推出了多種型號，所有產品均針對不同的散熱設計和系統要求進行了優化。英飛凌硅基功率MOSFET達到最高質量和保護標準，因此產品的可靠性、系統正常運行時間和電源穩定性均有保障。 

作為功率系統領域的領導者，英飛凌掌握全部三種半導體相關材料，推出了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產品組合。