隨著眾多廠商紛紛加大對于人工智能（AI）投資，推動了數(shù)據(jù)中心、HPC、自動駕駛等領(lǐng)域?qū)τ?a class="innerlink" href="http://m.xxav2194.com/tags/AI芯片" target="_blank">AI芯片需求的暴增。然而，一個AI芯片的誕生涵蓋各個層面，包括芯片設(shè)計、制造到應用部署整個過程，并涉及多種技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈。

目前英偉達（NVIDIA）、AMD、英特爾都極力開發(fā)AI芯片，英偉達推出最新GPU構(gòu)架Blackwell，采用臺積電定制化4nm制程制造；AMD則在今年COMPUTEX展示最新AI芯片MI325X，預計第四季上市；英特爾公布AI PC旗艦處理器Lunar Lake，采用臺積電3nm技術(shù)，最快第三季登場。由于英偉達在AI芯片具有壟斷地位，因此四大云端巨頭Google、AWS、微軟、Meta，都有推出或正在積極開發(fā)自研AI芯片。

近日，臺媒Technews針對AI芯片生態(tài)系統(tǒng)還制作了一張圖進行解析。

從目前的GPU AI芯片的結(jié)構(gòu)來看，主要由HBM和GPU通過硅中介層堆疊在PCB基板上。HBM主要三大領(lǐng)導品牌分別為SK海力士、三星和美光，身為領(lǐng)導者的SK海力士目前向英偉達供應之前的8層HBM3E，但尚未收到12層版本的驗證申請，預期現(xiàn)在目標是加快量產(chǎn)時間；至于三星HBM3E可望于第三季獲得認證英偉達出貨，仍要等待相關(guān)程序完成；美光則計劃下半年完成12層HBM3E量產(chǎn)準備，明年供應給英偉達等主要客戶。

韓媒指出，目前三大DRAM公司尚未決定向英偉達供應12層HBM3E，英偉達可能正在評估三家公司的出價，以滿足需求并獲取優(yōu)惠的價格，下半年將是重要決勝時刻。

值得注意的是，當HBM堆疊層數(shù)越來越多，HBM封裝厚度將受限于775微米（μm），因此混合鍵合（Hybrid Bonding）成為一項重要技術(shù)。目前SK海力士和三星表示會在未來HBM堆疊使用Hybrid Bonding，美光則表示還在研究中。

由于先進封裝技術(shù)的高度復雜性，主要依賴三大晶圓廠臺積電、三星和英特爾的代工服務。受益于AI熱潮，導致臺積電CoWoS產(chǎn)能持續(xù)緊張，聯(lián)電與封測廠合作也分食到部分訂單，力積電也將切入CoWoS硅中介層領(lǐng)域。專業(yè)封測代工廠部分，安靠（Amkor）去年第四季起逐步提供產(chǎn)能，日月光投控旗下矽品也于第一季時加入供應行列。

在高階ABF載板部分，以欣興電子、IBIDEN、SHINKO三間市占率合計超過八成。欣興電子預期，隨著AI在云端及邊緣運算的應用擴大，高階ABF載板將于2026年初再度供不應求。