在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中，英特爾和臺(tái)積電正展開一場激動(dòng)人心的工藝之爭，吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注。兩家企業(yè)最新的 18A 工藝和 N2 工藝帶來了一場技術(shù)與創(chuàng)新的角逐。

● 英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 相信將在未來幾年擊敗臺(tái)積電。在接受采訪時(shí)，強(qiáng)調(diào)了 18A 工藝（1.8 納米）與臺(tái)積電的 N2（2 納米）節(jié)點(diǎn)。18A 和 N2 都將利用 GAA 晶體管 ( RibbonFET ) ， 1.8 納米級(jí)節(jié)點(diǎn)將采用 BSPND，一種可優(yōu)化功率和時(shí)鐘的背面功率傳輸技術(shù)。

● 當(dāng)然臺(tái)積電相信其 N3P（3 納米級(jí)）技術(shù)將在功耗、性能和面積（PPA）等方面與英特爾的 18A 相媲美，而其 N2（2 納米級(jí)）將在所有方面超越之。

一）兩家的爭斗

英特爾的 20A（2 納米級(jí)）和 18A（1.8 納米級(jí)）制造技術(shù)即將比臺(tái)積電的相應(yīng)制造工藝提前推出。

英特爾的 20A 制造技術(shù)計(jì)劃于 2024 年推出，將引入 RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管以及背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和增加的晶體管密度。與此同時(shí)，英特爾的 18A 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)旨在進(jìn)一步完善 20A 的創(chuàng)新，并在 2024 年底至 2025 年初提供進(jìn)一步的 PPA 改進(jìn)。

臺(tái)積電的 3 納米級(jí) N3、N3E、N3P 和 N3X 制造工藝都依賴于成熟的 FinFET 晶體管和傳統(tǒng)的電源傳輸網(wǎng)絡(luò)。

臺(tái)積電似乎不急于推出其納米片 GAA 晶體管和 BSPDN，前者將由臺(tái)積電的 N2 節(jié)點(diǎn)引入，計(jì)劃在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，而后者將在 N2P 上加入，計(jì)劃在 2026 年底開始大規(guī)模生產(chǎn)。 臺(tái)積電在財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示：" 內(nèi)部評(píng)估顯示，臺(tái)積電的 N3P 與 [ Intel ] 18A 相媲美，但上市時(shí)間更早，技術(shù)成熟度更高，成本也更低。不帶背面電源的 2 納米技術(shù)（N2）比 N3P 和 18A 都更先進(jìn)，并將在 2025 年推出時(shí)成為半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)。"

英特爾未來幾年的主要目標(biāo)之一是在技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力方面擊敗臺(tái)積電，并從需要領(lǐng)先工藝節(jié)點(diǎn)的公司中獲得晶圓代工訂單。英特爾計(jì)劃在未來五個(gè)季度推出三個(gè)先進(jìn)的制造工藝，并在 2024 年下半年至 2025 年上半年開始 2 納米和 1.8 納米級(jí)制造技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)。臺(tái)積電認(rèn)為即使是將在 2025 年投入使用的 N3P 節(jié)點(diǎn)，在性能、功耗和成本等方面也能夠與英特爾的 18A 相媲美，而 N2 將在市場上投放一年后超越它。顯然臺(tái)積電對(duì)其即將推出的工藝節(jié)點(diǎn)非常自信。

二）背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）

從表面上看，臺(tái)積電在工藝技術(shù)和代工設(shè)計(jì)方面一直領(lǐng)先，擁有強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)。英特爾憑借 18A 工藝取得的進(jìn)展表明，半導(dǎo)體競技場上的競爭遠(yuǎn)比外界所見更為激烈。背面供電技術(shù)是一項(xiàng)頗具潛力的創(chuàng)新，英特爾成為首家將其實(shí)踐應(yīng)用的公司，通過將電力傳送到芯片背面而非正面，為熱管理和整體性能提供了優(yōu)勢(shì)。有效的散熱和電力傳輸有助于優(yōu)化芯片布局和設(shè)計(jì)，改進(jìn)功能和熱量分布。這一創(chuàng)新的實(shí)施使英特爾再次站在半導(dǎo)體制造的最前沿，實(shí)現(xiàn)了戈登 · 摩爾的愿景。

臺(tái)積電和三星也將進(jìn)入背面供電領(lǐng)域，但相較于英特爾，可能需要一兩年的時(shí)間。臺(tái)積電在這方面的優(yōu)勢(shì)之一是與客戶的緊密合作，為其成功提供了強(qiáng)大支持。英特爾在內(nèi)部生產(chǎn) CPU 小芯片，同時(shí)將小芯片和 GPU 外包給臺(tái)積電（N5-N3）。英特爾是否能夠在內(nèi)部生產(chǎn) 18A 及以下的所有小芯片，尤其是在與 AMD 和 Nvidia 等競爭對(duì)手的比較中。

工藝領(lǐng)先固然重要，但在代工行業(yè)，客戶支持同樣至關(guān)重要。如果英特爾能夠在合理時(shí)間內(nèi)完成 BPD 版本，并吸引更多客戶，那么這可能成為其新的代工收入來源。然而，在與像臺(tái)積電這樣的業(yè)界巨頭競爭時(shí)，英特爾需要著眼于大量客戶芯片的生產(chǎn)，這將是其持續(xù)成功的關(guān)鍵。

小結(jié)：英特爾與臺(tái)積電的工藝之爭為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了一場激動(dòng)人心的競賽，我們將見證這場競爭的發(fā)展，看看誰能在技術(shù)創(chuàng)新和客戶支持方面取得更大的優(yōu)勢(shì)。