2023年9月19日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半導體（ST）VIPERGAN65芯片以及SRK1001和STUSB476QTR芯片的65W PD快充方案。
圖示1-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的65W PD快充方案的展示板圖
在5G、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的不斷推進下，越來越多的移動電子設備涌入市場，為人們的生活帶來極大的便利。然而隨著用戶對移動設備的依賴性日益增強，高效的充電需求也與日俱增。在這種趨勢下，能夠提升充電速率的PD充電器迅速進入快車道，且市場發(fā)展前景廣闊。為助力廠商加快PD充電器的開發(fā)，大聯(lián)大友尚基于ST VIPERGAN65芯片推出65W PD快充方案，該方案具有緊湊設計的特點，可滿足手機、筆記本等移動設備的快充需求。
圖示2-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的65W PD快充方案的場景應用圖
VIPERGAN65是一款高壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)部集成一個脈寬調(diào)制（PWM）控制器和一個650V增強型GaN功率晶體管，能夠在寬范圍內(nèi)提供高達65W的輸出功率。并且具有低靜態(tài)電源管理可用于系統(tǒng)實現(xiàn)低待機功耗。不僅如此，VIPERGAN65內(nèi)置多種能確保安全性和可靠性的功能，包括輸入電壓前饋補償、輸入/輸出過壓保護、電流檢測、以及上電和掉電保護，且所有保護均為自動重啟模式。
在外觀尺寸方面，VIPERGAN65采用5mm x 6mm QFN封裝，占地面積小、集成度高，能夠在確保卓越的功率密度的同時，節(jié)省物料成本（BOM）。此外，寬帶隙晶體管技術(shù)也能進一步提高能效并簡化熱管理設計。
圖示3-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的65W PD快充方案的方塊圖
本方案初級側(cè)主控芯片使用ST VIPERGNA65，次級側(cè)同步整流控制器使用ST SRK1001，協(xié)議芯片采用ST STUSB476QTR，輸出接口為主流的USB Type-C。憑著這些器件的出色性能，本方案能夠有效的提高充電效率，助力廠商迅速推出具有PD快充功能的充電產(chǎn)品。
核心技術(shù)優(yōu)勢：
65W開發(fā)板優(yōu)勢：
4個功率點平均效率：>92%；
空載待機功耗：<50mW（@230 VAC）；
EMI符合IEC55022 B；
VIPERGAN65集成650V氮化鎵MOS（GaN）可實現(xiàn)緊湊、簡化的PCB布局和減少BOM；
具有動態(tài)消隱時間和可調(diào)谷底同步延遲功能的QR，可在任意輸入線路和負載條件下最大化效率；
谷底鎖定；
輸入電壓前饋補償OPP；
頻率抖動可抑制EMI。
方案規(guī)格：
65W開發(fā)板規(guī)格：
輸入電壓：90~264VAC，頻率47~63Hz；
輸出電壓：單Type-C輸出5V~20VDC；
輸出功率：最大20V 3.25A@65W；
尺寸：70mm x 35mm x 25mm（長x寬x高）；
功率密度：>22 W/in3；
效率：符合歐盟CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求，230 VAC 65W時峰值效率>93%。
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