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高通驍龍8 Gen 1+或于5月上旬發(fā)布 采用臺積電4nm工藝

2022-03-27
來源:錨思科技網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 高通 驍龍 臺積電

【錨思科技訊】2021年12月初,高通正式發(fā)布驍龍8 Gen 1旗艦芯片,放棄自家旗艦芯片“驍龍8xx”的命名方式,選用全新命名方式。

這顆被高通給予厚望的芯片在一開始贏得了作為旗艦芯片應有的關(guān)注,但隨著量產(chǎn)機的上市,過熱和性能節(jié)流的問題就凸顯出來了。

“火龍”的稱號早已有之,只是這一代更甚之。

之所以會出現(xiàn)這樣的問題,一是高通本身在芯片設計上的問題,二是代工廠工藝的問題。

在驍龍8 Gen 1發(fā)布不久就有消息稱驍龍8 Gen 1+將采用臺積電的4nm工藝。近日有消息稱,高通將于2022年5月初發(fā)布改進后的驍龍8 Gen 1+芯片組(SM8475)。

如果消息屬實,驍龍8 Gen 1+將比它的前輩們來地更早一些。

驍龍8 Gen 1+將采用臺積電的4nm工藝,除了在工藝先進程度和良率都要高于三星的4nm工藝。因此推測驍龍8 Gen 1+的能效表現(xiàn)要優(yōu)于驍龍8 Gen 1,同時價格也有望下探。

目前已得到的消息來看,包括聯(lián)想、Moto、一加、小米等廠商在內(nèi)已經(jīng)在調(diào)試采用驍龍8 Gen 1+ 芯片組的旗艦機型。

如果一切順利,最快有望在今年 6 月份看到搭載驍龍8 Gen 1+ 芯片組的智能機。

除了驍龍8 Gen 1本身的問題外,來自聯(lián)發(fā)科的天璣9000、8100、8000系列芯片組帶來的壓力也不容小覷。

從目前的測試數(shù)據(jù)來看,聯(lián)發(fā)科的芯片在中低負載下的能效表現(xiàn)完勝驍龍,高負載下的表現(xiàn)也能和驍龍打個有來有回,在發(fā)熱控制方面還明顯優(yōu)于驍龍。

正是看到了這一點,高通不得不加快產(chǎn)品更新步伐,將損失降下來。

另外,對于驍龍8 Gen 1+的表現(xiàn)也不用報太大希望,畢竟只是工藝的調(diào)整,本身的設計沒有太大變化,只是看臺積電能不能壓住這條“火龍”了。




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