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英特爾7nm竟然比三星3nm強?

2021-07-19
來源:互聯網亂侃秀
關鍵詞: 英特爾 7nm 3nm 芯片

2020年,臺積電、三星的芯片工藝制程進入了5nm,今年臺積電、三星的工藝將進入4nm,明年將進入3nm

而作為另外一家芯片制造大廠英特爾,確實在芯片制程上落后了,現在還在打磨10nm,連7nm都還沒推出來,預計要到明年去了。

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為此,唯工藝節點論英雄的網友,一直在吐槽英特爾。不過近日專業機構Digitimes日前發表的一份研究報告,可能會讓這些不斷吐槽英特爾的網友,有點小尷尬。

因為大家發現,雖然工藝節點英特爾落后了,但在真正的工藝上,intel其實并沒有落后什么,因為:

英特爾的10nm工藝,相當于臺積電的7nm工藝,接近三星的5nm工藝。

英特爾的7nm工藝,甚至比三星的3nm還要強,比肩臺積電的5nm工藝。

英特爾的5nm工藝,比臺積電的3nm還要強,甚至比肩IBM之前公布的2nm工藝。

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那么這個是怎么算出來的,Digitimes是采用業界比較公認的一項參數,也就是晶體管密度算出來的,即每平方毫米的芯片中,晶體管的個數是多少。

我們知道在嚴謹的芯片工藝中,所謂的芯片工藝提升,是以縮小溝道長度為目標的,芯片工藝其實指源極與漏極間的距離,在10nm前,各芯片廠商都是嚴格遵守的。

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但后來到了10nm后,工藝提升越來越難,芯片制造廠商們就不再遵守這個規則了,開始玩起了游戲。

在2019年的時候,臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森就明確表示過過“現在描述工藝水平的XXnm說法已經不科學了,因為它與晶體管柵極已經不是絕對相關了。制程節點已經變成了一種營銷游戲,與科技本身的特性沒什么關系了。”

也就是從那時候起,臺積電、三星開始玩起了數字游戲,芯片工藝不斷提升,但實際晶體管密度,并沒有提升多少,只有英特爾,則還基本在遵守這個規則。

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所以也就有了從晶體管密度來看,雖然英特爾工藝落后,但這項參數卻并沒有落后的原因。

所以以后大家關于芯片工藝節點,其實也不用太認真的,不同公司的工藝節點定義和標準是不一樣的,用XXnm來看誰的技術強,誰的技術弱,其實并不太科學啦。

而從這個晶體管密度參數來看,英特爾現在的技術其實與三星差不太多,畢竟明年英特爾7nm量產,相當于三星的3nm,但還是落后于臺積電的。




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